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[导读]近日,专注智能卡芯片设计的北京同方微电子有限公司(以下简称“同方微电子”)与晶圆制造服务公司上海宏力半导体制造有限公司(以下简称“宏力半导体”)共同宣布,同方微电子采用宏力半导体0.13微米微缩版嵌入式闪存技术

近日,专注智能卡芯片设计的北京同方微电子有限公司(以下简称“同方微电子”)与晶圆制造服务公司上海宏力半导体制造有限公司(以下简称“宏力半导体”)共同宣布,同方微电子采用宏力半导体0.13微米微缩版嵌入式闪存技术生产的SIM卡芯片出货量已超过2亿颗,且生产良率稳定,产品性能突出,已大量投放国内市场。

宏力半导体的0.13微米微缩版嵌入式闪存技术是在现有成熟的0.13微米嵌入式闪存技术基础上,进一步优化生产工艺,将原来0.38平方微米的闪存存储单元面积显著减小了近50%(小于0.2平方微米),为业界0.13微米嵌入式闪存技术节点的最小闪存存储单元尺寸,尤其适合大容量闪存的产品。该闪存技术具有很高的耐擦写能力和数据保持特性,可重复擦写10万次,数据保持100年,并且兼具编程效率高和无过度擦除的优点。此外,该款技术搭配宏力半导体独有的双闸工艺平台,提供了市场应用中最低本高效之解决方案。(责编:陶圆秀)


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