2012年是LTE终端进入成熟量产的冲刺阶段

富士通半导体市场部高级经理路标

根据IHS iSuppli 2011年11月8日发布的调查报告，预计2011年底，全球4G LTE的用户将达1,160万户，2012年用户数还将进一步大增441%至6,280万户。在中国，中国移动已经启动6＋1城市规模试验，每个城市部署了110个基站，经过大规模试验，TD-LTE技术已经进一步成熟，预计最快明年底有希望开始试商用。由此可见，2012年势必将会成为LTE技术和市场化高速发展的一年，是LTE相关产品步入成熟量产阶段的关键准备和最后冲刺的阶段。

由于TD-LTE是由中国信产部提出的4G通信标准，因此中国的设备和无线终端供应商将在TD-LTE的发展中获取巨大的发展良机以及扮演非常重要的角色。就全球范围来说，TD-LTE/FDD-LTE/WCDMA/GGE的配置将是美国、欧洲、日本的主流需求。而根据中国移动目前的规划，国内LTE终端需要支持如下制式及相应频段：TD-LTE/FDD-LTE/TD-SCDMA/GSM/EDGE。

富士通作为致力于长期支持、耕耘LTE产业的IC厂家，目前已经推出多模多频的射频收发芯片Humphreys（MB86L12A）系列产品，可以支持FDD-LTE和TDD-LTE两种4G制式，并且向下兼容WCDMA、EDGE、GSM等2G/3G制式，可以帮助无线终端公司开发功能强大的多模终端（手机、数据卡、平板电脑等）。其主要特性和优势包括小型封装；支持全波段；接收器支持14个差分RF输入；同时支持DigRF/MIPI 3G（v3.09）和4G（v1.0）接口；支持SPI/MIPI/RFFE接口，控制外部PA和天线开关；RX与TX自动校准程序，将工厂量产校准时间缩至最短。这些特性对于客户要求的性价比与快速上市具有优秀的支持。

2012年底，富士通更是会有一款名为K2的升级产品亮相，将会增加更多的亮点，包括更低的功耗，更小封装与尺寸，支持EVDO和TD-SCDMA，支持全球各个TD-LTE和FDD-LTE频段，提升射频性能等。

目前，我们在全球范围内已经和很多一线厂商有所合作，共同开发LTE产品的参考设计方案。其中包括：日本、美国、欧洲、韩国、中国等。比如，法国的LTE基带芯片厂商Sequans已经在官网正式宣布与富士通合作的具体信息。国内客户在开发手机终端前，经常要考虑开发的难易度、整机成本、技术支持、综合性能等问题。我们的射频收发器在研发前已经考虑了中国的市场因素和客户需求，帮助客户尽量降低上述问题的难度。

对于国内的基带芯片供应商，我们都在紧密合作。考虑到不同平台的特点，富士通会给出差异化的最优化配合，帮助他们缩短产品开发周期。同时，也会将国际上领先的LTE技术方案带到国内，与国内的LTE基带芯片供应商以及他们的终端客户一起讨论，研究出最适合中国市场的技术方案和省成本方案。