瑞晶预计提前转进30纳米制程

DRAM报价直逼历史低价，在DRAM产业笼罩一片低气压时，瑞晶的制程转进速度仍是一马当先，原本预定2011年底前旗下所有产能都全数转进30纳米制程，日前目标已提前达阵，但因母公司尔必达(Elpida)应部分客户需要40纳米制程产品，因此保留2万片产能在40纳米，在制程转进成功后，预计成本可进一步下滑，虽然相较于目前DRAM报价仍是亏钱，但仍是台厂中竞争力最强的业者。
瑞晶一向是台系DRAM厂中制程转换速度最快的业者，旗下8万片12寸晶圆厂领先在2011年转进40纳米制程，日前又在30纳米制程上抢得头筹，且比原订进度提前1个月达阵，在全球竞争力上更上一层楼。
瑞晶原本预定在2011年底前，将旗下所有产能都转进30纳米制程，但现在已提前在11月达成此目标，目前12寸晶圆厂已全数用30纳米制程技术投片，但因为尔必达客户临时希望能有部分40纳米制程产品可以出货，因此瑞晶临时保留约2万片产能用于40纳米制程。
业者分析，2011年第4季以来DRAM报价受到泰国水患硬盘缺货影响，再度缓跌直达冰点，报价几乎直探历史低点，即使用最先进的30纳米制程生产也仍是亏钱，不过，瑞晶能提前完成制程转换，在技术实力上仍证明已大幅拉近和国际大厂间的竞争差距，届时若报价止跌反弹，也会是最大的受益者。
根据分析，以30纳米制程生产2Gb DDR3芯片含封装测试的成本约1.1~1.2美元，虽然制程微缩让芯片成本下滑，但仍卡在封测成本仍相当高，而若以30纳米制程生产4Gb芯片，成本则可降至2美元水平。
由于瑞晶的生产成本极具优势，且每一世代的制程转换速度都优于原订目标，是少数有机会追赶三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等韩系大厂的DRAM厂，瑞晶母公司尔必达在成本考量，加上日币大幅升值下，未来也会加速将DRAM生产基地移到瑞晶生产，以符合PC DRAM的生产竞争力。