iSuppli调高NAND闪存销售额增长率预测

据统计，随着Intel闪存业务被SK海力士收购，韩国企业三星+SK海力士合计占市场份额已经超过50%。

新闻概要 公司全球首发238层 512Gb TLC 4D NAND闪存，将于明年上半年投入量产 成功研发层数最高，面积最小的NAND闪存，并显著改善生产效率、数据传输速度、功耗等特性 "公司将持...

（全球TMT2022年8月3日讯）SK海力士于8月3日宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND闪存...

颠覆性技术的深远影响从根本上改变了人们的生活、工作和娱乐方式

据韩媒thelec报道，华为方面计划采购NAND闪存晶圆，自行完成测试封装工序，已为此筹建相关设施，或将于下半年开始量产。

（全球TMT2021年12月30日讯）SK海力士宣布，已于12月30日圆满完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段。继12月22日获得中国国家市场监督管理总局的批准后，SK海力士完成了第一阶段的后续流程，包...

SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND闪存的发展大家应该都比较熟悉了，它们代表了每个单元能够存储的比特数据，密度越来越高，容量越来越大，当然可靠性、寿命越来越低。

（全球TMT2021年10月12日讯）嵌入式存储解决方案全球领导者SkyHigh Memory Limited将在其NAND闪存系列中推出3.0V 1Gb-4Gb密度4KB页面和2KB页面ML-3产品。全新的1...

（全球TMT2021年8月5日讯）面向物联网（IoT）、移动和汽车SoC的半导体IP提供商Arasan Chip Systems宣布立即提供符合开放Nand闪存接口（ONFI）5.0规范的N

长江存储科技有限责任公司128层QLC 3D NAND 闪存(型号： X2-6070)，已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内...

随着信息的爆发式增长，相关部门在部署信息存储应用时，越来越多地考虑固态硬盘(SSD)技术，这是因为这种技术具有特别快速的性能。然而，他们可能没有认识到市场上有不同版本

自问世以来，NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题，但是支持最新的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three-bit-per-cell)技术所需的

前言闪存是手机、数码相机、数字电视和机顶盒或发动机控制模块等数字应用中一种十分常见的半导体存储器，这类芯片需具备系统级编程功能和断电数据保存功能。闪存兼备高存储

赛普拉斯半导体公司今日宣布推出面向高安全应用的单层单元(SLC)NAND闪存系列。此前，高安全应用的设计者一直使用带有分区保护的NOR闪存存储启动代码，并利用商用级SLC NAND闪存存储系统固件和应用。全新的赛普拉斯S...

21ic讯，全球嵌入式系统解决方案领导者赛普拉斯半导体公司(Nasdaq：CY)今日宣布推出面向高安全应用的单层单元(SLC)NAND闪存系列。此前，高安全应用的设计者一直使用带有分区保护的NOR闪存存储启动代码，并利用...

东芝公司今日宣布研发全球首款*1运用硅通孔(TSV)技术的16颗粒(最大)堆叠式NAND闪存。将于8月11日至13日在美国圣克拉拉举行的2015年闪存峰会(Flash Memory Summit 2015)上展示其原型。...

业内消息人士的说法称，清华紫光正在将收购目标瞄准NAND闪存厂商SanDisk和东芝。消息人士透露，清华紫光旗下Unisplendor已达成协议，收购硬盘厂商西部数据的约15%股份。近期，中国正试图发展自主的存储设备、D...

根据Computerworld网站报道，IBM研究人员在自旋电子学领域(“自旋迁移电子学”的简称)取得了重大技术突破，能够利用电子在磁场内的自旋并结合读写头，在半导体材

闪存几乎无处不在，特别是在移动设备中。闪存具有各种外形尺寸，随着成本的不断降低以及容量和工作寿命的不断增加，闪存不断地推动着越来越多的平台中硬盘驱动器的发展。NAND和NOR闪存主导着固态非易失性存储器(NVM

北京时间4月4日下午消息，据《日刊工业新闻》报道，由于移动设备的需求持续增加，东芝最早计划今年夏天兴建一座新的NAND闪存芯片工厂。该工厂是东芝第五座NAND工厂的二期项