下半年NAND闪存价格将大体呈现下跌走势

根据集邦科技(TrendForce)旗下研究机DRAMeXchange调查，自5月起，记忆卡、随身碟(UFD)及多数的NAND Flash应用产品都已进入传统的淡季，故目前多数下游客户的采购需求已转趋疲弱，且先前因担忧日本大地震可能带来的供给吃紧的预期心理下，多数下游客户的库存水位都已经先行垫高了；故 5月上旬主流NAND Flash合约价呈现下跌约2~10%的状况。

展望后市，预期NAND Flash市场仍将受到以下的多空因素所影响：1. NAND Flash记忆卡及UFD的淡季效应将持续到6月份；2.系统产品如平板计算机及智能型手机的第二季采购需求，主要仍倚赖少数客户的大订单，故淡季效应仍在。3. NAND Flash供货商的上游原物料供给，并未受到日本地震的影响，故2Q11仍能维持正常的生产计划，且2xnm新制程技术的产出比重在2Q11也将进一步提高，而推升2Q整体NAND Flash的位供给量。4.自6月份起NAND Flash供货商将开始受到2Q季底因素影响，而采取促销策略以降低库存水位。5.下游系统产品客户希望先前3月份因地震不确定因素所推升的价格，若能在他们的新机种推出前适度地降价，将会有助于提升他们于3Q11中后期时采用搭配较NAND Flash高储存容量的意愿。

综合上述多空市场因素，DRAMeXchange预期NAND Flash市场自5月份起将转为供过于求的状况，故NAND Flash合约价格在第二季中后期将会由 4月份的持稳状况，转为下跌的走势。

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根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，4月下旬DRAM合约价呈现小幅上涨的价格走势，DDR3 2GB均价自18美元上涨至18.25美元(1Gb $0.98)，涨幅约1.39%，DDR3 4GB均价亦上涨至35.5美元(2Gb $2.06)，涨幅约在1.43%。

从市场面来观察，近期合约价的价格走势，除了日本震灾的影响外， PC OEM采购策略的改变及部份 DRAM 厂在40nm制程良率出现问题亦是主要原因；DRAMeXchange指出，首先是由于宏碁(Acer)三降财测突显产品策略的失误，部份 PC OEM 厂趁此机会提升出货量抢攻市占率，亦带动DRAM采购的需求，同时近期有两家DRAM厂在40nm制程良率出现问题导致出货递延，转单效应亦让合约价格持续往上开出，也是让四月下旬合约价维持成长动能的主因。

另外日本东北震灾至今已过一个半月，由于原物料供应可能短缺的疑虑下，DRAM产业亦掀起抢料大作战，其中又以受创较为严重的硅晶圆供应为最；根据集邦科技的访查，受到地震冲击下，先前传出有硅晶圆取得有困难的厂商，除了获得厂商支持与手上库存因应下，目前投片能见度大都已经至六月份无太大问题。

如尔必达(Elpida)及瑞晶的硅晶圆供应大都来自受创最为严重的信越福岛厂，但在信越化学全力支持及硅晶圆转为供应较为稳定的Polish等级，让整体尔必达集团投片能见度可望至六月甚至七月，硅晶圆供应中断的机会性将大幅降低。

力晶方面有将近25%的硅晶圆来自信越福岛厂，主要是用于45nm制程的投片，在考虑未来处出归属尔必达下，亦获得尔必达的帮忙得到信越产能的支持，投片能见度可至6月；而韩系厂商海力士(Hynix)方面，硅晶圆有20%亦来自信越福岛厂，目前硅晶圆取得已经转向LG及其他硅晶圆厂商。

其他DRAM厂如三星、美光、南科、华亚科及华邦，由于硅晶圆取得都在非日本地区，故冲击皆属不大，但硅晶圆厂受创是不争的事实，对于下半年DRAM厂取得硅晶圆的详细状况，仍需等待信越及SUMCO 的复工状况而定。

针对现阶段最新的信越化学及SUMCO复工进度来说，信越化学预计福岛厂5月预计复工，预计年底年可以回复至至少七成以上的产能，而SUMCO方面，山形米泽厂的修复作业预计5月可以完成，同时SUMCO其他生产基地亦提高生产量，希望可以在5月将生产能力回复至震灾前的水平。