GLOBALFOUNDRIES将启用3D芯片堆叠技术

公司今天宣布，在以3D芯片堆叠为基础的下一代移动和消费应用芯片制造道路上达成重要的里程碑。

表示，旗下位于纽约州萨拉托加县的Fab 8晶圆厂，已开始安装一套特殊的生产工具于公司领先的20nm技术平台，在半导体晶圆处理过程当中，可以进行透硅通孔（TSV）。 TSV能力将让客户设计多个芯片堆叠产品，满足未来电子设备苛刻要求。

基本上来说，TSV技术，可以启用垂直堆叠的集成电路之间的通信。例如，该技术可以让电路设计者，在处理器芯片上堆叠内存芯片，显着提高内存带宽，并降低功耗，满足下一代芯片，如智能手机、平板电脑芯片对功耗降低的苛刻要求。

目前，三维堆叠集成电路正越来越多地被视为传统晶体管节点技术的替代品。然而，采用新的芯片封装技术，芯片之间相互作用复杂性越来越强，会让芯片代工晶圆厂和合作伙伴提供完美解决方案的难度越来越高。

公司CTO表示，年初与合??作伙伴共同开发芯片封装新的解决方案，为客户提供最大的选择和灵活性，同时节约成本和开发时间，并减少开发新技术相关风险。随着TSV功能在20nm Fab 8晶圆厂启用，GLOBALFOUNDRIES公司为整个半导体生态系统添加从设计到组装和测试的全新能力。

作为世界上技术最先进的晶圆制造商，GLOBALFOUNDRIES公司最大领先优势在于美国新建的Fab 8工厂，具备领先32/28nm工艺的20nm以下技术。预计采用TSV技术的晶圆，将于2012年第三季在Fab 8工厂批量生产。

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