三星电子宣布量产3bit 3D V-NAND闪存

近日消息，三星电子宣布已经开始量产用于固态硬盘的业内首个3bit MLC 3D V-NAND闪存。 三星电子存储芯片营销部门负责人韩宰洙高级副总裁表示：“通过推出一条全新的高性能高密度固态硬盘产品线，我们相信3bit V-NAND将会加快数据存储设备从传统硬盘向固态硬盘的转换。固态硬盘产品的多样化，将加强三星产品的市场竞争力，进一步推动三星固态硬盘业务的发展。”

3bit V-NAND闪存是基于三星第二代V-NAND芯片技术的最新产品，每片闪存芯片由32层垂直堆叠的存储单元组成，单片闪存的存储容量可达128Gb。利用三星独有的3D电荷捕获型栅极存储单元结构技术(3D Charge Trap Flash),各个存储单元把电荷存储在绝缘体中，并通过存储单元阵列一层接一层地向上垂直堆叠，制造出含有数十亿个存储单元的芯片。

该款产品单个存储单元容量为3bit，每片芯片存储单元阵列垂直堆叠32层，因而大大提高了生产效率。与三星的10纳米级3bit平面闪存相比，新推出的3bit V-NAND立体闪存的晶圆生产效率提高了一倍以上。

三星于2013年8月推出了第一代24层V-NAND闪存，并在今年5月宣布了第二代32层V-NAND存储单元阵列结构。而本月量产3bit 32层V-NAND闪存，则标志着三星正在通过加速V-NAND量产技术的发展引领着3D存储芯片的新纪元。

自2012年首次推出基于3bit平面闪存的固态硬盘之后，三星已经证明了市场对高密度3bit闪存固态硬盘的广泛需求。此次推出的业内首款3bit 3D V-NAND闪存预计将大大拓展市场对V-NAND闪存的采纳，使基于V-NAND的固态硬盘在有效解决大多数服务器厂商对高耐久性存储设备的需求的同时，将应用范围扩大到一般个人电脑用户。