EUV: 一场输不起的赌局
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2010年， ASML将有5台最先进的EUV设备整装发往全球的5家客户。业界传言，最新的NXE3100系统将发送给3家顶级存储器厂商和2家顶级逻辑厂商。EUV胜利的曙光正在向我们招手，虽然目前工程师们还在荷兰Veldhoven专为EUV新建的大楼中忙碌，在设备出厂前，解决正在发生的问题，并预测着各种可能发生的问题及解决方案。
人们谈论EUV的各种技术问题已历时数年，因为其波长较目前的193nm缩短10倍以上，EUV一直是通往22nm的实力派参赛选手之一。与此同时，延伸immersion技术，用其它液体替代水，以及电子束曝光(EB)等技术也不断被提入摩尔定律的延续日程。“ASML也曾经通过收购进入EB领域，但克服速度的瓶颈很难，因此最终选择了放弃。”ASML资深副总裁Bert Koek说。通过改变液体延长浸入式光刻到更小线宽的方案，也因为对材料工艺研发投入的不确定性而在一年前宣布放弃。相信每一次的放弃对ASML来说都是艰难的抉择。
而今，EUV已成为ASML进军22nm的唯一赌注。
图：在ASML的光刻Roadmap中，EUV将主导2011年的先进技术
好在从光源，到光刻胶、掩膜版、镜头、真空系统等各个领域，近年来ASML与它的供应商们团结奋进，都取得了不错的进展。2009年9月Cymer 13.5nm光源的功率已从2008年底的20w提高到了75w，Burst Length从1mSec提高了到400mSec。为了达到2010年每小时60片的短期研发型产量目标，功率再增加一倍是完全需要的。
光刻胶的分辨率也已经从2006年的40nm提高到了目前的30nm左右，明年的目标是22-25nm。
掩膜版的缺陷数也从2007年的1000/wafer 提高到了低于100/wafter。这一数字已经进入DRAM和NAND可以接受的范围，但要达到logic需要的1/wafer标准，还有待进一步努力。ASML研发副总Jos Benschop说，掩膜版将是EUV前进途中最具挑战的部分，不仅是技术，从经济的角度看也是如此。毕竟所需要的数量太少，如何实现高品质低成本的量产绝对需要硬功夫。
据ASML介绍，2010年研发型EUV设备的价格将与浸入式光刻基本持平，而如果能成功提升速度到180WPH，达到量产可以接受的要求，价格还将有50%左右的提升，即达到6千万欧元左右。对ASML来说，这是“华山一条路”，不容退缩，也无可退缩。
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