AMAT全方位强化功率半导体生产设备业务

美国应用材料公司(Applied Materials，AMAT)瞄准近年来需求高涨的功率半导体及MEMS器件市场，将强化200mm晶圆生产设备相关业务，将来还打算支持功率半导体领域的300mm晶圆及SiC/GaN的生产。

AMAT的主力业务归根结底还是300mm晶圆相关设备，但该公司“也一直在致力于200mm设备的业务”(AMAT元件及系统部门全球服务总监田中丰)。除了销售新的200mm设备之外，最近该公司还在开展对客户拥有的200mm设备进行升级(改造)的服务，使这些设备能够制造功率半导体及MEMS。该公司表示，其中尤其值得期待的是功率半导体领域。

作为200mm设备的新市场，功率半导体及MEMS器件领域值得期待。

IGBT的构造。要求实施厚膜外延及深沟道等工序。

制造Si-IGBT及超结MOSFET等功率半导体时，必须要使用厚膜的硅外延成膜设备、厚膜的铝溅射(PVD)设备以及深蚀刻设备等。而且，要想以低成本制造功率半导体，改善处理能力也很有必要。

超结MOSFET的构造。除厚膜外延及深蚀刻外，还需实施填充沟道的间隙填充外延等工序。

瞄准功率半导体及MEMS器件领域的举措田中介绍称，面向功率半导体的200mm设备业务与300mm设备业务相比，“竞争环境大为不同”。300mm设备方面，AMAT的竞争对手是同行业的大型设备厂商，而200mm设备则不同，“免不了要与从事二手设备改造等业务的特定设备厂商竞争”。

这里说的特定厂商是指专门从事外延设备及溅射设备等特定设备的再生业务的厂商，其优势是价格低。在功率半导体制造的部分工序中，这些厂商的设备足以满足需求，因此AMAT面临着残酷的价格竞争。但在这些特定厂商的设备无法获得充分特性的重要工序方面，AMAT则可发挥其技术优势，尤其是在厚膜的外延成膜设备、铝溅射设备及深沟道蚀刻设备等领域，AMAT可轻松发挥技术上的优越性。

具体而言，厚膜的外延成膜设备方面，AMAT计划在2014年满足进一步厚膜化的需求，并改善处理能力。虽然目前能实现的膜厚最大为100μm，但2014年将达到150μm，此外还将把成膜速度从目前的4μm/分钟提高至5μm/分钟。另外，在厚膜的铝溅射设备方面，还打算在2014年内确立膜厚达到5μm、铝成膜速度达到2μm/分钟的技术。

此外，AMAT还将大力开发为超结MOSFET形成沟道的深沟道蚀刻设备、填充沟道的间隙填充外延设备、离子注入设备，以及厚度不到100μm的薄化晶圆的处理技术等。

将来的举措方面，AMAT提到了支持300mm晶圆及SiC/GaN的生产需求的措施。业内普遍认为，在硅功率半导体领域，2～3年后部分器件将开始用300mm晶圆来制造。从目前看，估计有很多厂商不会购置新的300mm设备，而是对已有的300mm设备实施改造来制造功率半导体。为此，AMAT将积极展开准备工作，以便使在200mm设备中确立的面向功率半导体领域的技术能够推广到300mm设备。