联电将跳过20nm 专攻FinFET

联电将跳过20纳米(nm)制程节点，全力卡位14纳米鳍式电晶体(FinFET)市场。由于20纳米研发所费不赀，加上市场需求仍不明朗，因此联 电已计划在量产28纳米后，直接跨过20纳米节点，加速挺进更具投资效益的14纳米FinFET世代，以与台积电、格罗方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)一较高下。

联电市场行销处处长黄克勤表示，20纳米制程带来的效益将不 如从40纳米演进至28纳米的水准，且须导入双重曝光(Double Patterning)方案，势将增加一笔可观花费，已使处理器业者的导入意愿开始动摇;再加上主要晶圆代工业者皆规画在2015年推出16或14纳米 FinFET制程，在多方权衡之下，联电遂决定放缓20纳米投资，专心克服14纳米FinFET牵涉的材料掺杂、测试验证和晶圆前后段混搭制程等技术挑 战，以因应即将到来的FinFET市场卡位战。

据悉，28纳米高介电系数金属闸极(HKMG)系一具主导性、生命周期较长的制程方 案;相形之下，20纳米可能成为非主流制程(Weak Node)，因晶片效能提升与投资成本效益不一定胜过直接导入14纳米FinFET，仅有一线处理器大厂为维持技术领先优势才会计划采用。

事实上，联电在今年首季即公布其未来的制程演进蓝图与主力推动技术，其中独漏20纳米规画已现端倪。黄克勤指出，目前联电已将火力对准中国大陆应用处理 器开发商，以及智慧电视(Smart TV)和机上盒(STB)晶片商导入28纳米制程的庞大需求商机，积极拉拢新客户，以刺激旗下28纳米制程营收成长。

至于下一阶段的发展策略，联电亦已押宝14纳米FinFET制程，将于2015年上市，与台积电、格罗方德和三星等大厂展开厮杀。

黄克勤强调，英特尔(Intel)率先投入FinFET制程量产，大幅提高处理器效能并降低功耗，近来在行动装置品牌市场已有不错成绩;一旦其市占持续 攀升，势将影响高通(Qualcomm)与相关晶圆代工供应链的投资计划，并加速制程研发步调，以免技术差距持续被拉大。因应此一趋势，联电遂倾向将资源 集中在FinFET技术上，并跳过20纳米制程发展以免节外生枝。