新思科技28纳米DesignWare IP赢得第100项设计

全球领先的电子器件和系统设计、验证和制造软件及知识产权(IP)供应商新思科技公司(Synopsys, Inc.， 纳斯达克股票市场代码：SNPS)日前宣布： 该公司针对多家领先的晶圆代工厂优化的28纳米工艺DesignWare IP已赢得第100项设计。其经过芯片生产验证的28纳米产品组合由多种广泛使用的IP组成，包括用于USB、PCI Express、SATA、HDMI、DDR、MIPI的数模混合模块，以及数据转换器、音频编解码器、嵌入式存储器和逻辑库，其中已有数千万芯片单元在客户产品中使用。Synopsys的28纳米DesignWare IP产品，已全面通过了工艺和电压温度(PVT)变化下High-K金属栅和PolySiON工艺的芯片特性测试，以确保设计的稳健性。凭借十多种不同的28纳米工艺节点上的超过30款测试芯片成功流片，并凭借已量产的产品，Synopsys为设计者们提供了快速集成于诸如移动应用处理器，多媒体图像联网及存储的SoC应用产品的IP解决方案，从而降低了设计风险及成本。

“作为一家成熟的IP供应商，Synopsys拥有在低至28纳米的各种领先工艺节点上提供高质量IP产品的丰富经验。”创意电子(Global Unichip Corp;GUC)高级市场总监C Fu说道。“通过这些年与Synopsys的紧密合作，已经使GUC成功地将一系列28纳米DesignWare IP集成到我们客户最先进的SoC设计之中，在带来出色的时序冗余与良品率的同时，满足了功耗、性能和芯片面积等需求。”

在SoC与IP的开发过程中，先进的工艺几何尺寸带来了额外的设计挑战。在28纳米工艺节点上，设计规则、漏电功率和I/O电压，与40和65纳米工艺有本质上的不同。为了满足28纳米的设计需求，Synopsys在对协议的支持及确保可靠运行的同时修正了其IP的关键设计参数。例如，为满足制造的需求， Synopsys在其28纳米IP产品上使用了两倍于65纳米工艺的严格的设计规则检查，以及8倍于65纳米工艺PVT 特征测试数量以确保测试完备性。此外，Synopsys采用了先进的低功率设计方法学来满足低漏电要求。

Synopsys 使用了统计设计方法学用以开发其28纳米DesignWare嵌入式存储器，以解决设计易变性的挑战并整合包括源偏置、双电压轨等多种电源管理功能，使高达70%的漏电功率得到抑制。DesignWare逻辑库整合了多门限电压和长沟道器件，以降低SoC的漏电功率。此外，逻辑库都经过广泛的PVT条件特征测试，使设计师能够通过使用动态电压和频率比例(DVFS)技术来降低动态功率。这些功能与设计技术使设计师能够成功地将28纳米DesignWare IP集成到他们先进的SoC设计中，以改善性能、功率和面积结果。

“开发28纳米 IP决不能掉以轻心。Synopsys已经在设计和验证28纳米IP产品上投入将近100名技术人员每年的开发力度，以确保其互通性和设计稳健性。”新思科技IP与系统部市场营销副总裁John Koeter说道。“Synopsys的用户调查数据显示，有将近50%的Synopsys客户在其下一产品中将会使用28纳米工艺，因此对于Synopsys来说在满足设计者的时间需求下提供高质量28纳米IP产品以使其获得竞争优势就变得尤为重要。”

供货

面向精选28纳米工艺的USB 3.0、USB 2.0、DDR3/2、PCIe 2.0、SATA I/II/III、HDMI 1.4、MIPI M-PHY、MIPI D-PHY DesignWare物理层IP，以及各种嵌入式存储器、逻辑库和数据转换器(模数转换器和数模转换器)，现均可供货。

28纳米DesignWare音频编解码器计划于2012年第四季度向早期采用者供货。