瑞萨车用MCU 强化读取与覆写速度

瑞萨电子(Renesas)开发全新28奈米嵌入式快闪记忆体技术。该技术可达更快的读取与覆写速度，且针对采用28奈米(nm)嵌入式快闪记忆体(eFlash)制程技术的晶片内建快闪记忆体微控制器(MCU)所设计。

新技术利用记忆体单元电流的温度依存性与周边电晶体的可靠性是逆相关的事实，在字线增速电压中加入负向的温度依存性，使周边电晶体的可靠性使用寿命提升十倍，并使随机读取速度从160增加至200MHz，可同时实现高速读取作业与高可靠性的技术;此外，该技术可藉监控抹除速度并控制抹除作业，使最大抹除电压在高速抹除时可受到抑制，以减轻层间介电质的抹除电压应力。

另外，新技术可藉将负反向偏压附加至记忆体单元，以降低写入脉冲持续时间，并可平行写入多个快闪记忆体巨集，提升写入速度，因此可达每秒2.0MB的写入速度;由于预期未来eFlash记忆体覆写周期计数将增加，如因OTA(空中安全下载)程式更新等，须将电源供应杂讯与EMI在覆写作业时，对系统运作的影响降至最低，该技术采用展频时脉产生(SSCG)做为产生快闪记忆体覆写作业之高电压的充电泵的驱动时脉，以可降低电源供应杂讯与电磁干扰(EMI)。