华虹无锡基地首批光刻工艺设备进场，9月试生产

2019年6月6日，华虹无锡集成电路研发和制造基地(一期)12 英寸生产线建设项目首批三台光刻机搬入仪式举行。光刻设备的搬入标志着华虹无锡基地项目建设进入新的里程，整个项目也随即达到新高度。

华虹半导体新任总裁唐均君表示，目前，有关12英寸的工艺研发、工程、销售和市场团队正在紧锣密鼓开发新产产品，为12英寸晶圆生产线的初始量产做好准备。华虹无锡基础一期截止6月5日已经搬入35台设备，其中25台已经完成安装调试，预计将于9月进行试生产，12月形成量产能力。

根据此前官方介绍，华虹无锡项目占地约700亩，总投资100亿美元，一期投资25亿美元，新建一条工艺等级90～65纳米、月产能约4万片的12英寸特色工艺集成电路生产线，支持5G和物联网等新兴领域的应用。

该项目于2018年3月正式开工建设，计划将于2019年上半年完成土建施工，下半年完成净化厂房建设和动力机电设备安装、通线并逐步实现达产。自开建以来，华虹无锡项目一直加速前进，主要工程节点均提前完成。

今年3月，华虹半导体在其年报上表示，华虹无锡已于2018年底主体结构全面封顶，预计将于2019年第二季度末完成厂房和洁净室的建设，下半年开始搬入设备，并于2019年第四季度开始300mm晶圆的量产。

据悉，为加快实现华虹无锡的顺利投产、风险量产和上量，华虹半导体在2018年启动了55nm逻辑工艺及相关IP的研发，预计2019年下半年开始导入客户，同时开始研发55纳米嵌入式闪存工艺的存储单元，功能验证已通过，为未来55纳米嵌入式闪存技术量产打下坚实的基础。