显示光电
日本厂商纷纷开发可提高有机EL面板特性的氧化物TFT
时间：2010-03-12 18:41:30
手机看文章
扫描二维码
随时随地手机看文章
[导读]用于液晶面板、有机EL面板以及电子纸等显示面板驱动用途的氧化物半导体TFT的研发越来越活跃。其中，作为驱动有机EL面板的TFT的有力候补，氧化物TFT更是备受关注。与原来采用非晶硅的TFT相比，氧化物半导体TFT的载流子
用于液晶面板、有机EL面板以及电子纸等显示面板驱动用途的氧化物半导体TFT的研发越来越活跃。其中，作为驱动有机EL面板的TFT的有力候补，氧化物TFT更是备受关注。与原来采用非晶硅的TFT相比，氧化物半导体TFT的载流子迁移率高达10cm22/Vs，是前者的10倍左右，这样便容易提高有机EL面板的亮度。另外，氧化物TFT的特性不均现象较小，并且电流的时变也较少。可轻松控制有机EL面板的显示不均现象，适用于大面积化用途。此外，由于可采用溅镀法制作，导入时无需大幅改进现有液晶面板的生产线。
鉴于这些优点，韩国LG显示器、韩国三星电子、台湾友达光电（AUptronics）等韩国及台湾的大型面板厂商纷纷开始致力于氧化物TFT的开发，日本厂商最近也开始加大开发力度。
夏普在2009年12月举办的显示器技术国际学会“16thInternationalDisplayWorkshops（IDW’09）”上公开了采用氧化物TFT的2.6英寸QVGA（320×240像素）液晶面板。氧化物半导体采用IGZO（In-Ga-Zn-O）。
凸版印刷则致力于采用可进行涂布的氧化物半导体的TFT的开发。通过采用涂布工艺，有望削减制造成本。该公司试制出了制造工序中最高温度可降至270℃的氧化物TFT。与原来利用涂布工艺制造氧化物TFT相比，“最高温度要低100℃以上”（该公司）。凸版印刷的TFT是在玻璃底板上制成的，采用旋压覆盖（SpinCoat）法对氧化物半导体进行涂布成膜。以栅极绝缘膜为代表，源极等各电极均采用原来的制造工序。
虽然还比不上溅镀产品，但涂布成膜的试制品的迁移率为0.5cm2/Vs以上，导通/截止比为105以上，实现了与普通非晶硅TFT相当的特性。其特点是有望用于驱动电子纸及液晶面板。事实上，凸版印刷已利用该试制品，成功驱动了美国电子墨水（EInk）制造的2英寸电子纸。
鉴于这些优点，韩国LG显示器、韩国三星电子、台湾友达光电（AUptronics）等韩国及台湾的大型面板厂商纷纷开始致力于氧化物TFT的开发，日本厂商最近也开始加大开发力度。
夏普在2009年12月举办的显示器技术国际学会“16thInternationalDisplayWorkshops（IDW’09）”上公开了采用氧化物TFT的2.6英寸QVGA（320×240像素）液晶面板。氧化物半导体采用IGZO（In-Ga-Zn-O）。
凸版印刷则致力于采用可进行涂布的氧化物半导体的TFT的开发。通过采用涂布工艺，有望削减制造成本。该公司试制出了制造工序中最高温度可降至270℃的氧化物TFT。与原来利用涂布工艺制造氧化物TFT相比，“最高温度要低100℃以上”（该公司）。凸版印刷的TFT是在玻璃底板上制成的，采用旋压覆盖（SpinCoat）法对氧化物半导体进行涂布成膜。以栅极绝缘膜为代表，源极等各电极均采用原来的制造工序。
虽然还比不上溅镀产品，但涂布成膜的试制品的迁移率为0.5cm2/Vs以上，导通/截止比为105以上，实现了与普通非晶硅TFT相当的特性。其特点是有望用于驱动电子纸及液晶面板。事实上，凸版印刷已利用该试制品，成功驱动了美国电子墨水（EInk）制造的2英寸电子纸。
下载文档本站声明： 本文章由作者或相关机构授权发布，目的在于传递更多信息，并不代表本站赞同其观点，本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者，如若文章内容侵犯您的权益，请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读
