日本半导体能源研究所等开发出氧化物TFT液晶面板

日本半导体能源研究所与Advanced Film Device（AFD）小组在全球最大的显示器国际会议“SID2010”上，发布了图片显示时通过减小帧频可将驱动时所耗电量削减一位数的氧化物TFT液晶面板（论文序号：43.4）。据介绍，即使帧频减至1/60Hz，1分钟内无写入操作，也可维持出色的图片显示。从原理上来看，新技术与通常的60Hz显示时相比，驱动电力可减至1/3600。

半导体能源研究所等此次新开发出了图片显示时减小帧频的驱动电路，该驱动电路是利用高迁移率的IGZO氧化物半导体TFT在玻璃底板上制作而成的。另外，通过新开发常闭型（NormallyOff）（加载电压为0V时，无电流流动）氧化物半导体TFT，控制了因漏电流导致的耗电量增大现象。不过，常闭型氧化物半导体TFT的实现手法没有公开。

半导体能源研究所试制出了采用此次驱动技术的氧化物TFT液晶面板，并在论文发布后召开的开发者见面会（AuthorsInterview）上进行了公开。试制面板的画面对角尺寸为6英寸，像素为1024×768（XGA），精细度为212ppi，开口率为54％。（记者：田中 直树）