贵州皓天光电荣获LED2013最佳LED材料技术创新奖

OFweek半导体照明网讯 "LED第十届LED前瞻技术与市场研讨会（LED LED Seminar 2013）"于11月15日在深圳星河丽思卡尔顿酒店圆满落幕，同期举行的还有"2013LED行业年度评选（LED LED Awards）"颁奖盛典，今年评选共设立8个奖项，本着"公平、公正、公开"的原则，主办方投入了大量的时间和精力，经过数月的紧张评选，最终评选出29家获奖LED企业及个人。

其中，贵州皓天光电科技有限公司凭借6"R向蓝宝石衬底产品成功夺得"最佳LED材料技术创新奖"。

贵州皓天产品图片

通常，C面蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜是沿着其极性轴即ｃ轴方向生长的，薄膜具有自发极化和压电极化效应，导致薄膜内部(有源层量子阱)产生强大的内建电场，(QuantumConfineStarkEffect，QCSE；史坦克效应)大大地降低了GaN薄膜的发光效率.在一些非C面蓝宝石衬底(如R面或M面)和其他一些特殊衬底(如铝酸锂；LiAlO2)上生长的GaN薄膜是非极性和半极性的，上述由极化场引起的在发光器件中产生的负面效应将得到部分甚至完全的改善.传统三五族氮化物半导体均成长在C-plane蓝宝石基板上，若把这类化合物成长于R-plane或M-Plane上，可使产生的内建电场平行于磊晶层，以增加电子电洞对复合的机率。因此，以氮化物磊晶薄膜为主的LED结构成长R-plane或M-Plane蓝宝石基板上，相比于传统的C面蓝宝石磊晶，将可有效解决LED内部量子效率效率低落之问题，并增加元件的发光强度。最新消息据称非极性LED能使白光的发光效率提高两倍。

由LED中国高科技行业门户主办，21ic与21ic承办的LEDLED前瞻技术与市场研讨会已成功举办了十届。LED LED Seminar 2013定位于全球LED产业技术与市场，旨在为业内人士搭建一个分享经验、交流技术的平台，同期举办的评选成功延续了历往九届盛会的精神，旨在不遗余力借助各方力量，推动LED产业健康发展，为企业更好地认识行业现状及有力的把握未来发展趋势搭建起来一座通往成功彼岸的桥梁。

获奖感言

感谢LED开展这样一个活动，感谢广大客服对我们的支持。我们皓天光电将一如既往的坚持引进吸收消化创新的理念，坚持重视质量和市场，满足广大客户的需求。