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[导读] LED半导体照明网讯 德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics,Fraunhofer IAF)宣布,通过在LED的控制电路中采用氮化镓(GaN),成功地将现有的亮度为100

LED半导体照明网讯 德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics,Fraunhofer IAF)宣布,通过在LED的控制电路中采用氮化镓(GaN),成功地将现有的亮度为1000lm的LED灯泡改造成了2090lm的高亮度LED灯泡,LED灯泡的发光效率也提高了数个百分点。

 LED控制电路的作用是使交流变直流转换器的输出电流保持在恒定水平。据Fraunhofer IAF介绍,LED芯片非常容易受到电流波动的影响,控制电路的可靠性对於芯片寿命有着很大影响。一般情况下,该控制电路的晶体管都采用硅半导体。

 

Fraunhofer IAF改造部分控制电路,将LED灯泡的光通量从1000lm提高至2090lm

此次,Fraunhofer IAF采用GaN晶体管而非硅晶体管制作了控制电路。而且已经确认,即使电流、温度及电压比使用硅晶体管时都要大,GaN晶体管也能够以非常高的可靠性工作。控制电路的工作效率也比较高,为86%,比采用硅晶体管时高出1~4个百分点。

此外,与采用硅晶体管时相比,采用GaN晶体管的控制电路能够以10倍以上的高频工作。这意味着可以减小感应器和电容器等器件的尺寸。如果能够减小器件的尺寸,将有助於LED灯泡的进一步小型化及制造成本的降低。

Fraunhofer IAF表示,对於市售的亮度约为1000lmLED灯泡,将其控制电路换成上述采用GaN晶体管制作的控制电路后,光通量可提高至2090lm。

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