美研究人员采用InN纳米线提升LED效率

美国能源部(DOE)国家能源研究科学计算中心(NERSC)最新的一项研究显示宽度为DNA链一半的纳米结构能够增进LED的效率，尤其是在绿光能隙的光谱位置。

NERSC来自密歇根大学的研究人员Dylan Bayerl和Emmanouil Kioupakis发现通常发红外光的InN半导体在缩小到1纳米宽时会发出绿光。当这些纳米结构的尺寸不同时，其所发出的色光便会不同，这将可以使白光看起来更为自然，同时也能避免目前高功率LED常常会遇到的能效损失问题。

这一研究结果已于2月在线发表，题为《小口径InN纳米线发出可见波长偏振光》，并将成为7月号《纳米通讯》的封面文章。

“如果将材料的尺寸减小到组成材料的原子那么宽，就会出现量子限域。电子会被挤到一个很小的空间内，从而增加带隙能量，” Kioupakis介绍说。

此外，通过采用纯净的InN，而不是分层的氮化物合金材料，能够解决绿光LED由于纳米级合金的浓度起伏而产生的低效率问题。而以纳米线的形式则能够消除分层器件的晶格失配问题。“当两种材料的原子间距不同时，将会产生结构扭曲，这会使发光变得更为困难，” Kioupakis说。

虽然这是一个很有开发前景的研究领域，但研究者强调这类纳米线的合成难度将会很高。他们希望其研究能够被应用于目前已在纳米级成功进行合成的InN纳米晶体等材料当中。

(译)