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[导读]这一新制造工厂是先前所宣布计划的一部分,旨在显著提升用于Wolfspeed碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)业务的产能,将建设成为一座规模更大、高度自动化和更高生产能力的工厂。

据外媒报道,当地时间9月23日,美国科锐公司宣布计划将在美国纽约州Marcy创建一条碳化硅(SiC)走廊,旨在建造一座全球最大的碳化硅(SiC)制造工厂。

据悉,这一新制造工厂是先前公司所宣布计划的一部分,旨在显著提升用于Wolfspeed碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)业务的产能,将建设成为一座规模更大、高度自动化和更高生产能力的工厂。通过与纽约州州长办公室以及其他州立与当地机构和实体的战略合作,公司决定在纽约州建造该新工厂,这将为科锐同时带来连续性的未来产能扩大和显著的净成本节约。

科锐将在美国建造全球最大SiC制造厂

(资料图:碳化硅)

科锐首席执行官Gregg Lowe表示:“碳化硅(SiC)是我们这个时代最为关键的技术之一,是实现创新的核心,服务一系列当今最具开创性和革新性的市场,助力包括从内燃机向电动汽车(EV)的转型、超快速5G网络的部署等。这一采用最先进技术并满足车规级标准的晶圆制造工厂,基于我们30多年在实现突破性技术商业化方面的积淀,帮助我们的客户开发新一代应用。我们期望连接我们北卡罗莱纳州和纽约州的创新中心,推进碳化硅(SiC)被更为快速地采用。”

根据公开资料显示,美国科锐公司(Cree)成立于1987年,是美国上市公司,是为全球LED外延、芯片、封装、LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的著名制造商和行业领先者。

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