英特尔AMD战火未歇 决战低端手机NOR闪存

8月7日消息，全球两大CPU厂英特尔（Intel）及AMD为刺激市场销售、扩大市占率，大幅调降CPU报价，双方战火尚未停歇，又进一步将战线燃烧到NOR型闪存（Flash）。内存业内人士表示，英特尔将推出1款超低成本的NOR型Flash，以应对低端手机的庞大市场需求，而Spansion（原AMD旗下Flash部门，2005年已分割独立上市）目前也不断扩大低制造成本Mirror bit的NOR型Flash，希望能在低端手机市场抢下更多市占率。

英特尔与AMD为抢下更多市占率，陆续降低CPU报价以刺激需求，且降价幅度让多数PC厂相当振奋，原因在于两大厂均采用一次到位的方式，不再像过去一步一步调降，而正当两大龙头厂在CPU市场竞争激烈之际，近期更进一步将战线扩大至NOR型Flash，双方均为了低端手机市场而纷纷采取策略应战。

英特尔副总裁暨Flash部门总经理Darin Billerbeck便指出，英特尔已看到低端手机市场正朝向高速成长方向进行，为此，英特尔采取各种不同方式应对，英特尔预计到2006年底将制程技术由原本的0.13微米制程转进到90纳米制程，预计到2007年将会进一步由90纳米制程提高至65纳米制程。

此外，英特尔也将推出1款低成本的NOR型Flash产品，据了解，该款低成本NOR型Flash容量将达32Mb～1Gb，仅提供相当简易的读取功能，为的便是应对低成本手机需求，而Spansion于此一市场也相当积极，希望能够与英特尔在此市场一拼高低。

目前Spansion产品线包含了传统规格的NOR型Flash以及OR NAND型Flash，不过，为了进一步降低制造成本，Spansion积极导入Mirror bit制程的NOR型Flash或OR NAND型Flash，内存业内人士指出，由于Mirror bit制造成本低廉，因而受到手机大厂青睐，不过，由于制造Mirror bit困难度较高，对于Spansion而言，现阶段还无法全数改采Mirror bit制造技术来生产全系列商品。

不过，为能与英特尔相对抗，持续提高Mirror bit制造技术生产NOR型Flash或OR NAND型Flash已是Spansion既定策略，目前看来，至2006年底超过半数产能将可转移以Mirror bit技术投产，2007年则全数改用Mirror bit生产，如此将有助Spansion扩大市占率。