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[导读]从事电子相关材料业务等的JSR子公司——美国JSR Micro与美国IBM就共同开发32nm工艺和22nm工艺半导体技术的新材料和工艺达成了合作协议。 此次缔结协议的目的是,双方将把低介电率层间绝缘膜(low-k)材料和光阻材

从事电子相关材料业务等的JSR子公司——美国JSR Micro与美国IBM就共同开发32nm工艺和22nm工艺半导体技术的新材料和工艺达成了合作协议。

 

此次缔结协议的目的是,双方将把低介电率层间绝缘膜(low-k)材料和光阻材料(Photoresist)等JSR此前开发并实现商用生产的材料群改进为新一代产品。两公司目前正致力于共同开发新CVD low-k材料、可制作新图形的low-k绝缘材料、以及介电率小于2的超low-k绝缘材料等的相关技术。在平板印刷领域,两公司此前已共同开发出尖端的ArF光阻材料等。新的共同开发项目的目标是,解决将来在技术节点方面使用的图形二次曝光(Double Patterning)相关技术和其它平板印刷材料的有关课题。

 

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