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Vishay第三代TrenchFET功率MOSFET SiR440DP获《今日电子》杂志的年度产品奖
时间：2009-02-26 12:19:20
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[导读] 该公司的第三代20V N通道TrenchFET®功率MOSFET SiR440DP荣获《今日电子》杂志的2008年度产品奖。
《今日电子》的编辑根据设计的创新性、技术或应用的显著进步，以及性价比显著提高三个方面，从2008年发布的
该公司的第三代20V N通道TrenchFET®功率MOSFET SiR440DP荣获《今日电子》杂志的2008年度产品奖。
《今日电子》的编辑根据设计的创新性、技术或应用的显著进步，以及性价比显著提高三个方面，从2008年发布的数百款产品当中精挑细选出年度产品。Vishay的SiR440DP因其优异的性能而被选为功率MOSFET类的获奖产品。
《今日电子》的2008年度产品奖公布在2009年2月期上，每个产品均配有简介。完整的获奖产品名单公布在 /awards2009.htm。
在同档电压等级、采用PowerPAK® SO-8封装的同类产品中，Vishay的SiR440DP具有业内最低的导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积，导通电阻与栅极电荷乘积是DC-DC转换器应用中MOSFET的关键优值（FOM）。该MOSFET在 4.5V 栅极驱动时最大导通电阻为 2.0 mΩ，在10V栅极驱动时最大导通电阻为1.55 mΩ，导通电阻与栅极电荷乘积在4.5V时为87。
《今日电子》的编辑根据设计的创新性、技术或应用的显著进步，以及性价比显著提高三个方面，从2008年发布的数百款产品当中精挑细选出年度产品。Vishay的SiR440DP因其优异的性能而被选为功率MOSFET类的获奖产品。
《今日电子》的2008年度产品奖公布在2009年2月期上，每个产品均配有简介。完整的获奖产品名单公布在 /awards2009.htm。
在同档电压等级、采用PowerPAK® SO-8封装的同类产品中，Vishay的SiR440DP具有业内最低的导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积，导通电阻与栅极电荷乘积是DC-DC转换器应用中MOSFET的关键优值（FOM）。该MOSFET在 4.5V 栅极驱动时最大导通电阻为 2.0 mΩ，在10V栅极驱动时最大导通电阻为1.55 mΩ，导通电阻与栅极电荷乘积在4.5V时为87。
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