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谁走在半导体工艺制程的前列
时间：2009-07-27 09:07:14
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[导读]在摩尔定律推动下，工艺技术的缩微没有停止，基本上每两年一个台阶，今年可达32纳米(注释，通常指微处理器的量产还要推迟几个季度) 。其实走在缩微制程最前面的是NAND闪存。据IMFlash报道， 已于2008年11月时实现34纳
在摩尔定律推动下，工艺技术的缩微没有停止，基本上每两年一个台阶，今年可达32纳米(注释，通常指微处理器的量产还要推迟几个季度) 。其实走在缩微制程最前面的是NAND闪存。
据IMFlash报道， 已于2008年11月时实现34纳米的32G NAND闪存量产。今年7月21日报道80G的MLC SSD(固态硬盘)价格已由595美元下降到225美元，及160G MLC SSD的价格由945美元下降到440美元。
目前32纳米工艺制程采用193纳米浸入式光刻机，尽管工艺复杂，成本高，大多还是要用双重图形曝光技术。估计下一个22纳米接点时，光学光刻方法可能已走到尽头，EUV、电子束直接曝光等都有可能浮现。但是摩尔定律即将终止，技术已近极限，所以经济上的矛盾会逐渐突显。
下图为目前全球芯片制造商(不计代工)的工艺技术现状;
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