半导体企业研发活力再现——ISSCC 2010论文揭示新趋势
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被称为“半导体界奥林匹克”的国际固态电路会议（ISSCC），在2010年2月于美国举行。与雷曼风暴冲击之前相比，本届提出的论文数量增加了约10％，显示业界研究活动已逐渐恢复正常。这些来自企业研究论文的增加，也契合半导体市场本身的复甦脚步。目前，半导体产业正在显露出恢复发展活力的迹象。
在2010年2月7日～11日于美国旧金山举行的ISSCC2010大会中，总共提交了638份论文，大约比雷曼风暴前举办的那届ISSCC所提交的582份论文增加了10％。所提交的论文数目看来已恢复正常水准（图1）。然而，被接受的论文数量却只比前一年上升约3％，达到210份，接受率由前一年的34.9％下降到了今年的32.9％。
图1提交的论文数量再次增加
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近年的ISSCC所提交和所接受的论文数量（a）。与经济危机前的上次大会相比，此次提交的论文数量大约提升了10％。依地区别划分，论文接受度最多的地区为欧洲和北美，而依照机构别区分，英特尔今年仍居于榜首，以13篇论文领先（b）。（图由NikkeiElectronics依ISSCC提供资料製作。）
来自企业、大学或研究机构方面被接受论文的比例此次也有着重大改变，虽然目前还不清楚这是否与合格率较低有关。前一年，接受论文中有47％来自企业，53％来自大学和研究机构，但今年的情况正好相反，企业佔51％，大学和研究机构佔49％。
从地区别来看，欧洲和北美的论文数目显着增长。欧洲由52份上升到59份；北美则从78份上升至86份。同时，亚洲的论文数量却在下降，从73份下降至65份。最近数年以来，中国每年都有1到2篇论文被接受，今年却没有任何一篇；台湾去年有17篇论文，今年几乎少了一半，只有9篇被接受。中国今年提交了更多论文，主要是来自大学，但却全军覆没。而台湾提交的论文数目与去年相同，但录取率却明显下降。
三星和东芝迎头赶上
虽然中国和台湾似乎遇到了瓶颈，但韩国却在亚洲区取得了不错的成绩。今年度韩国被接受的论文数量上升到19份，使该国跃居为仅次于美国和日本的第三位。
最关键的论文均来自韩国企业。来自韩国三星电子的论文数量从上次的两篇上升到这次的7篇，使该公司在论文被接受的组织排名中名列第五。多年来，该公司已经发挥了它在记忆体领域的实力，但此次递交的论文范围扩展到了无线通讯、显示器和影像装置。这似乎反映了该公司在发展非记忆体半导体领域方面的策略。
然而，就单一公司通过的论文数量来说，仍有一家日本公司超越了三星：日本的东芝（Toshiba）公司以8篇论文在今年度论文被接受的组织排名中位居第三。具体而言，东芝获採纳的论文涉及许多领域，包括记忆体、低功耗数位、无线通讯与资料转换器等。显然，东芝仍然引领着日本半导体技术的发展。
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32nm处理器晶片问世
今年提交的论文中也显示出了半导体市场的复甦迹象。受剧烈衰退影响的制造商们可能无法回到ISSCC提交论文。举例来说，去年只有英特尔（Intel）公司提交了4篇PC及伺服器用高性能微处理器论文，但今年，包括英特尔、AMD、瑞萨、昇阳和其他公司都提交了论文。
逻辑IC终于将全面过渡到下一代32nm製程技术（图2）。在今年的ISSCC上，英特尔与AMD都介绍了其32nm微处理器晶片的技术。在ISSCC的论文之前，业界曾经提出过採用32nm製程的等效电路和SM等文件，但并没有实际的微处理器。
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图2稳步推进整合度、功能和尺寸
一些论文提出了关于在每晶片上整合10亿或更多电晶体的大规模微处理器。还有两篇论文提到了32nm製程技术。（图片来源：ISSCCFarEastCommittee）
除了微缩製程几何尺寸外，大会中也就其他几项有趣议题进行了讨论，如印刷电子和硅穿孔（TSV），似乎揭示着这些技术的全新发展层面。
TSV技术是在硅晶片上打孔并填充它以作为电极；这是构成3D晶片堆叠的关键技术。终于，工程师找到了採用TSV技术时可避免高昂成本和其他障碍的方法，这种方法已被广泛用于量产。比利时的IMEC和其他单位所提交的论文提出了解决加热、邻近效应等问题的方法。TSV则是ISSCC2010大会中同时被指定于技术论坛中的一项关键议题。
印刷电子部份，在软性基板上运用印刷技术构成感测器、类比电路等的技术也有着重大进展。例如，有几篇论文描述了採用有机半导体技术而非标准硅晶技术来制造类比数位转换器。逻辑电路方面也同样出现了在纸基板上运用有机互补金属氧化物半导体（CMOS）电晶体阵列的技术。此外，在电晶体互连技术方面，由于商用的、家用喷墨印表机，展现了印刷电子的独特优势。
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