飞索整合富士通资源 加速嵌入式闪存MCU研发

摘要：  飞索(Spansion)预定于2013年7～9月，完成富士通半导体(Fujitsu Semiconductor)微控制器(MCU)、模拟及混合信号部门购并，未来将加速整合该部门技术资源，以及自家的嵌入式电荷撷取(eCT)闪存技术，全力加速嵌入式闪存(eFlash)MCU研发，预计于2015年发布首款产品。

关键字：  飞索，富士通，MCU，嵌入式系统

飞索(Spansion)预定于2013年7～9月，完成富士通半导体(Fujitsu Semiconductor)微控制器(MCU)、模拟及混合信号部门购并，未来将加速整合该部门技术资源，以及自家的嵌入式电荷撷取(eCT)闪存技术，全力加速嵌入式闪存(eFlash)MCU研发，预计于2015年发布首款产品。

飞索资深副总裁暨全球技术长Saied Tehrani表示，飞索购并富士通半导体MCU和模拟业务后，将可进一步扩大在汽车、工业和消费性电子等嵌入式系统市场的产品线阵容。

飞索资深副总裁暨全球技术长Saied Tehrani表示，该公司在嵌入式市场与闪存领域已累积不少成果，若再结合富士通半导体MCU、模拟业务相关产品和技术，以及其在日本市场的优势，将可进一步扩大市场版图，带动飞索闪存产品销售成长。

据了解，在双方购并作业完成后，富士通半导体将成为飞索MCU和模拟业务的晶圆代工厂，并将沿用既有的55纳米、65纳米及90纳米制程，为飞索量产eFlash MCU。

Tehrani指出，除合并富士通半导体资源外，飞索亦于近期与联电达成40纳米制程合作协议，可望为旗下的系统单晶片(SoC)带来优势，未来也不排除透过该制程开发出更高性能、低功耗、高成本效益的MCU和SoC解决方案。

据悉，飞索与联电的40纳米合作协议中，将授权联电其独家的eCT闪存技术，该技术类似飞索的MirrorBit技术，但经过修改和逻辑优化，故具备更快存取时间(低于10奈秒)和更低功率的特色，并易于与逻辑整合，较传统编码型(NOR)闪存生产方式使用更少的光罩制程步骤，让eCT能整合闪存和高性能逻辑SoC产品，成为具有成本效益的解决方案。

面对eFlash MCU市场竞争者众，Tehrani强调，该公司在非挥发性记忆体发展有悠久的历史，并在嵌入式MCU和SoC独立式闪存的eCT技术发展上超过10年经验，且拥有的嵌入式闪存技术系专为先进的逻辑设计，因此具备更快存取速度、低功耗及高运算效率的优势，有利于提高日后旗下eFlash MCU产品的市场竞争力。