模拟
190V N 通道功率 MOSFET（Vishay）
时间：2009-01-08 09:49:34
手机看文章
扫描二维码
随时随地手机看文章
[导读]日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界首款带有同体封装的 190V 功率二极管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，该器件具有 2mm×2mm 的较小占位面积以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-7
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界首款带有同体封装的 190V 功率二极管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，该器件具有 2mm×2mm 的较小占位面积以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-70 封装的 SiA850DJ 还是在 1.8V VGS 时具有导通电阻额定值的业界首款此类器件。
SiA850DJ 的典型应用将包括面向高压压电电动机的升压直流到直流转化器以及手机、PDA、MP3 播放器及智能电话等便携式设备中的有机 LED（OLED）背光。
将 MOSFET 及功率二极管整合到同一封装可帮助设计人员节约至少三分之一的 PCB 面积，同时由于无需使用外部二极管，因此可降低解决方案成本。较大器件在 2.5V 时达到导通电阻额定值，而 SiA850DJ 在 1.8V 时便可达到导通电阻额定值，由于无需使用电平位移电路，这进一步节约了板面空间。该器件的导通电阻值范围介于 1.8V VGS 时 17Ω～4.5V VGS时 3.8Ω，0.5A 时二极管正向电压为 1.2 V。
SiA850DJ 100% 无铅（Pb），无卤素，并且符合 RoHS规范，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。
目前，新型 SiA850DJ 的样品及量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 10～12 周。
下载文档本站声明： 本文章由作者或相关机构授权发布，目的在于传递更多信息，并不代表本站赞同其观点，本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者，如若文章内容侵犯您的权益，请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读
热门文章
编辑精选
更多
论坛活动
技术子站
更多
资料下载
更多
技术学院
- TrendForce集邦咨询: 供应链与应用端双重突破，预估2030年OLEDoS于VR/MR渗透率将快速成长至58%
- TrendForce集邦咨询: 2025年下半年晶圆代工产能利用率优于预期，零星业者酝酿涨价
- TrendForce集邦咨询: AI存储需求激发HDD替代效应，NAND Flash供应商加速转进大容量Nearline SSD
- TrendForce集邦咨询: 2026年CSP资本支出预计将高达5,200亿美元，GPU采购与ASIC研发成创新高核心驱动力
- TrendForce集邦咨询：受QLC产品热度的外溢效应驱动，预计NAND Flash 4Q25价格将上涨5-10%
- TrendForce集邦咨询: 十一长假将至，LCD电视面板大厂计划调降稼动率稳运维
- TrendForce集邦咨询：4Q25 DRAM价格延续涨势，服务器需求提前发酵、旧制程产品涨幅仍较大
- 一文搞懂如何最大限度降低Ćuk稳压器的辐射
