德州仪器新型即用型600V GaN FET功率级产品组合可支持高达10kW的应用

凭借2000万小时的器件可靠性测试，带集成驱动和保护功能的高压GaN FET在工业和电信应用中将功率密度提高了一倍

德州仪器(TI)近日宣布推出支持高达10kW应用的新型即用型600 V氮化镓(GaN)，50mΩ和70mΩ功率级产品组合。与AC/DC电源、机器人、可再生能源、电网基础设施、电信和个人电子应用中的硅场效应晶体管(FET)相比，LMG341x系列使设计人员能够创建更小、更高效和更高性能的设计。

德州仪器的GaN FET器件系列产品通过集成独特的功能和保护特性，来实现简化设计，达到更高的系统可靠性和优化高压电源的性能，为传统级联和独立的GaN FET提供了智能替代解决方案。通过集成的<100ns电流限制和过温检测，器件可防止意外的直通事件并防止热失控，同时系统接口信号可实现自我监控功能。

LMG3410R050、LMG3410R070和LMG3411R070的主要特性和优势

·更小、更有效的解决方案：与硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)相比，德州仪器的集成GaN功率级可将功率密度提高一倍，并将损耗降低80%。每个器件都具有快速的1MHz开关频率和高达100V/ns的压摆率。

·系统可靠性：本产品组合接受了2000万小时的设备可靠性测试，包括加速和应用内硬开关测试。此外，每个器件均提供集成的散热和高速、100ns过流保护，以防止直通和短路情况。

·每个功率级的设备：50mΩ或70mΩ条件下，本产品组合中的每个器件均提供一个GaN FET、驱动器并提供保护功能，可为低于100W至10kW的应用提供单芯片解决方案。