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[导读]  当前通信技术日新月异,CDMA2000,WCDMA等3G技术商用正酣,LTE,OFDM各种新技术又崭露头角。无论是正在大规模商用的3G技术,还是已经有的LTE,OFDM产品,都有一个共同的特征——多载波。而多载波信号必

 当前通信技术日新月异,CDMA2000,WCDMA等3G技术商用正酣,LTE,OFDM各种新技术又崭露头角。无论是正在大规模商用的3G技术,还是已经有的LTE,OFDM产品,都有一个共同的特征——多载波。而多载波信号必然带来高峰值因数或高峰均比。射频工程师的挑战来了,即如何准确测量输出功率和提高功率放大器的效率PAE。

为了帮助射频工程师迎接该挑战,Hittite公司给出了创新性解决方案,推出具有包络跟踪功能的均值检波器HMC1021LP4E,为其阵容强大的功率检波器家族新添一员干将。HMC1021LP4E提供两种输出形式,即RMSout均值输出和ETout包络输出。其中RMSout可以准确的测量输入信号的均值,而ETout则可以测量输入信号的包络,利用ETout的输出控制放大器的电源供给,则可以提高功率放大器的效率PAE。

 HMC1021LP4E可以工作在DC-3.9GHz,动态范围高达70dB,可检测包络带宽高达150MHz。可应用在发射通道功率控制,接收链路自动增益控制等。其包络跟踪功能又使其可以用来提高功率放大器的PAE和线性。无论对于3G技术还是LTE,OFDM技术,HMC1021LP4E都是功率检波的理想之选。

  

 

用仪表读取RMSout管脚的电平值。纹波响应和上升沿下降沿时间响应上,Hittite公司创新地引入了软件调试方法,将传统的改变外部电容的方法,改用软件设置SCI值来实现的方式,将工程师从繁杂的硬件调试工作中解脱出来,提高了工作效率。而且Hittite给出了SCI值和响应时间的如下图表供客户参考。

  

 

另外RMSout输出曲线的截止点和斜率也可以调整。在RMSout和Vset端选择合适阻值的电阻可以改变输出曲线的斜率,而改变Vset端的直流电压可以调整输出曲线的截止点。

ETout输出,可以跟踪输入信号的包络,当利用该输出来控制功率放大器的电源,可以提高功率放大器的PAE,降低电源的功耗。当前基站厂家采用的主流Doherty技术,用以提升功率放大器的PAE。若将包络跟踪与辅助放大器的电源供给相结合,则可以进一步提升功率放大器的PAE。下图是利用包络跟踪优化了的Doherty放大器与传统的Class AB放大器PAE的比较。可以看到,在ACLR都为30dBc的情况下,取得15.2%的效率提升,效果非常显著。

  

 

射频输入端耦合电容尽量靠近IN+ ,IN- 管脚;芯片的地焊接在PCB上有过孔的射频地,要良好散热;芯片的地要与射频地连通;加电源管脚的去耦电容尽量靠近芯片的电源管脚。

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