双通道理想二极管控制器取代两个肖特基二极管

21ic讯 凌力尔特公司推出 0V 至 18V 双通道理想二极管控制器 LTC4353，该器件可取代两个大功率肖特基二极管，以低损耗实现多个电源 “或”，且对电源电压的干扰最小。LTC4353 调节外部 N 沟道 MOSFET 的正向压降，以在二极管“或”应用中确保电源之间的平滑转换。在低压系统中，当电源切换时，控制器之间的慢速切换导致电压下降。LTC4353 <1µs 的快速接通时间确保从一条通路到另一条通路平滑切换，而且不产生振荡。如果输入电源出现故障或者被短路，那么快速断开最大限度地减小了反向电流。除了冗余电源“或”，LTC4353 在电源保持应用中还可卓越地取代二极管，而在这类应用中，电源的短暂故障是与负载隔离的。

LTC4353 提供单独的使能输入，当电源电压在相互之间的 MOSFET 本体二极管压降之内时，该使能输入可用来确保主电源的优先权。如果两个使能输入都被拉至低电平，那么 LTC4353 每个电源仅消耗 75µA。单独的状态输出指示 MOSFET 是接通还是断开。该控制器用 2.9V 至 18V 的电源工作，通过应用一个外部电源来提供额外的灵活性以控制低至 0V 的电压。

LTC4353 是市场上仅有的双通道低压理想二极管控制器，与同类解决方案相比，可极大地节省空间。LTC4353 采用 16 引线 MSOP 和 4mm x 3mm DFN 封装，规格在商用和工业温度范围内工作。千片批购价为每片 3.45 美元。 

照片说明：快速接通双通道理想二极管控制器

性能概要：LTC4353

·         多电源或电源保持应用中肖特基功率二极管的低损耗替代方案

·         控制外部 N 沟道 MOSFET 以实现大电流的能力

·         0V 至 18V 电源“或”或电源保持

·         1&micro;s 接通和断开时间

·         使能输入

·         MOSFET 接通状态输出

·         采用 16 引脚 MSOP 和 DFN (4mm x 3mm) 封装