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尔必达赴台设NAND Flash研发中心
据了解，日商尔必达已决定来台设立研发中心，且选定投入高阶技术NANDFlash领域。尔必达来台投资研发中心金额约在50、60亿新台币，未来将与力晶等日系半导体业者进一步合作。据悉，尔必达与台湾创新存储器公司（TIMC）
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尔必达计划削减债务并收购资产
由于电脑行业复苏推动全球第三大电脑存储芯片制造商尔必达扭亏为盈，因此该公司计划削减债务，并购买资产。负责管理财务和会计事务的尔必达高管TakehiroFukuda说：“我们将寻求包括并购和合作在内的各种机会。”他表
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尔必达发布首款自行开发制造的图形DRAM
尔必达内存发布了首款自行开发制造的图形DRAM——2Gbit GDDR（graphic double data rate）5型DRAM。除了游戏机及个人电脑的图形处理用途之外，还面向科学计算、物理模拟及数字图像处理等的GPU（图形处理器）用途。将
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尔必达宣布50nm制程2GbGDDR5显存开发完成
日本尔必达公司最近完成了采用铜互连技术的50nm制程2Gb密度GDDR5显存芯片的开发，这款产品据称是在尔必达设在德国慕尼黑的设计中心开发完成的。尔必达表示公司将于今年7月份开始试销这种50nm2GbGDDR5显存样片，而这款
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茂德63纳米试产成功将引进3~5家策略联盟伙伴
茂德宣布成功在中科12寸晶圆厂试产尔必达(Elpida)的63纳米1Gb容量DDR3产品，预计8月开始会大量导入63纳米制程，年底前拉至3.5万片水平，同时预计在2011年下半导入45纳米制程，届时考虑将12寸晶圆厂的产能扩充至8万片
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茂德63纳米试产成功 将引进3~5家策略联盟伙伴
茂德宣布成功在中科12寸晶圆厂试产尔必达(Elpida)的63纳米1Gb容量DDR3产品，预计8月开始会大量导入63纳米制程，年底前拉至3.5万片水平，同时预计在2011年下半导入45纳米制程，届时考虑将12寸晶圆厂的产能扩充至8万片
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联电：明年试产28nm工艺3D堆叠芯片
据悉，台湾代工厂联电(UMC)计划于2011年年中开始，使用28nm新工艺试产3D立体堆叠式芯片，并于2012年批量投产。联电CEO孙世伟(Shih-Wei Sun)表示，这种3D堆叠芯片使用了硅通孔(TSV)技术，是联电与日本尔必达、台湾力成
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联电、尔必达第2阶段合作朝交*持股进行
逻辑和DRAM技术跨产业合作大戏正式登场，联电、尔必达(Elpida)携手开发TSV技术的签约仪式将于21日召开记者会对外宣布；值得注意的是，业界透露，双方技术合作仅是第1阶段，未来第2阶段考虑以交*持股的方式，让双方的
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尔必达将与联华电子将研发新技术
「日本经济新闻」报导，日本半导体大厂尔必达公司将与台湾的联华电子及力成科技共同研发最尖端的「铜硅穿孔（TSV）」加工技术。报导指出，半导体的微细化技术已快达到极限，将来的研发焦点聚焦在芯片的垂直堆栈技术。
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联电、尔必达、力成宣布联手开发TSV 3D IC技术
随著半导体微缩制程演进，3D IC成为备受关注的新一波技术，在3D IC时代来临下，半导体龙头大厂联华电子、尔必达(Elpida)和力成科技将于21日，一起召开记者会对外宣布共同开发矽穿孔(TSV) 3D IC制程。据了解，由联电以
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联电私募 传尔必达策略结盟
联电昨日与尔必达、力成签订直通硅晶穿孔（TSV）技术合作开发合约，市场则再度传出，尔必达将是联电私募案引进策略合作伙伴的口袋名单之一，且双方未来不排除朝向交叉持股的合作方向进行。唯联电及尔必达对此一市场消
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联电尔必达力成 合攻3D IC
联电（2303）、尔必达（Elpida）及力成（6239）昨（21）日宣布，三方将结合在三维（3D）IC的设计、制造与封装等优势，投入开发整合逻辑芯片及动态随机存取内存（DRAM）的3D IC完整解决方案，并导入联电的28奈米制程生
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联电与力成及尔必达28奈米TSV技术合作 最快2012年量产
晶圆代工大厂联电(2303-TW)今天与DRAM模块厂力成(6239-TW)日本尔必达(Elpida)(6665-JP)共同宣布针对包括28奈米先进制程直通硅晶穿孔(TSV)整合技术进行合作。 联电执行长孙世伟表示，有鉴于摩尔定律的成长已经趋缓
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签订3D IC技术合约 蔡笃恭：技术到位后自然有市场需求
力成董事长蔡笃恭今日表示，只要3D IC的TSV技术率先达成熟阶段，市场需求自然会浮现。(巨亨网记者蔡宗宪摄) 日本DRAM晶圆大厂尔必达(6665-JP)，台湾晶圆代工大厂联电(2303-TW)以及DRAM封测大厂力成(6239-TW)今(21
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联电、尔必达、力成宣布连手开发TSV 3D IC技术
随着半导体微缩制程演进，3D IC成为备受关注的新一波技术，在3DIC时代来临下，半导体龙头大厂联华电子、尔必达(Elpida)和力成科技将于21日，一起召开记者会对外宣布共同开发硅穿孔(TSV)3D IC制程。据了解，由联电以逻
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茂德63奈米试产成功 将引进3~5家策略联盟伙伴
茂德宣布成功在中科12吋晶圆厂试产尔必达(Elpida)的63奈米1Gb容量DDR3产品，预计8月开始会大量导入63奈米制程，年底前拉至3.5万片水平，同时预计在2011年下半导入45奈米制程，届时考虑将12吋晶圆厂的产能扩充至8万片
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联电、尔必达、力成挥军铜制程3D芯片
联电（2303）、尔必达（Elpida）、力成（6239）等3家半导体大厂今（21）日将宣布策略合作，据了解，3家业者将针对铜制程直通硅晶穿孔（Cu-TSV）3D芯片新技术进行合作开发，除了针对3D堆栈铜制程之高容量DRAM技术合作
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尔必达计划在中国大陆和台湾建厂
据国外媒体报道，尔必达总裁阪本幸雄上周五接受媒体采访时表示，该公司计划在中国大陆和台湾建厂，以满足市场需求并减少税收成本。阪本幸雄表示，尔必达必将进军中国市场，该公司最早将于2012年与一家台湾芯片制造商
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尔必达中国大陆设厂将引发新一轮DRAM战火
继三星电子(SamsungElectronics)宣布巨额资本支出计画后，尔必达(Elpida)社长坂本幸雄亦表示，最快将在2012年前与台系DRAM厂到大陆设新厂房，并将邀请大陆政府官方入股。业界推测尔必达落脚之处有两个选项，其一是茂
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探讨尔必达存储器项目的可行性
日前传闻尔必达可能牵手台湾茂德来中国建存储器厂，引起业界兴趣。如今不管项目成与否？作些准备还是十分有必要的。尔必迖在中国建厂的目的尔必达社长坂本幸雄是个有野心之人，誓言要与三星争个高低，作全球存储器第
