罗姆的碳化硅技术助力赛米控用于下一代电动汽车的 eMPack®功率模块
新型宽带隙半导体(如碳化硅和氮化镓)在市场上的扩散对传统的老化和测试系统提出了挑战,因为裸片尺寸越来越小,并且组件可以承受更高的电压和温度。
在过去的几十年中,碳化硅和氮化镓技术的进步一直以发展、行业接受度不断提高和有望实现数十亿美元收入为特征。第一个商用 SiC 器件于 2001 年以德国英飞凌的肖特基二极管的形式问世。随之而来的是快速发展,到 2026 年,工业部门现在有望超过 40 亿美元。
电力设计是由市场需求驱动的,以提高效率和生产力,同时符合法规要求。最重要的最终用户需求几乎总是更小、更轻、更高效的系统,这得益于功率半导体设计的重大创新。在硅 MOSFET 和 IGBT 长期以来一直在功率半导体中占据主导地位的地方,宽带隙 (WBG) 技术,尤其是碳化硅 (SiC) 技术的最新进展正在为电力电子系统的设计人员带来额外的好处,提高效率和更高的电压能力,从而减少形式因素。
比利时蒙-圣吉贝尔和中国深圳 – 2022年06月20日 – 提供基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的耐高温、长寿命的高效、紧凑电机驱动和智能功率模块解决方案的领先供应商CISSOID S. A.(CISSOID),和中国先进电动汽车动力总成制造商 - 深圳市依思普林科技有限公司(依思普林)今日共同宣布:双方已达成战略合作伙伴关系,将共同开展研发项目,使碳化硅功率器件的优良性能在电动汽车动力总成领域得以充分发挥,从而实现电动汽车动力总成的全面优化和深度集成。
德国纽伦堡—2022年5月10日-12日,一年一度的PCIM Europe盛大开幕,PCIM Europe即欧洲电力电子系统及元器件展,是电力电子、智能运动、可再生能源和能源管理领域最具影响力的博览会,也是全球最大的功率半导体展会,继连续两年举办线上展会后,于今年终于回归线下。
6月7日,国内第三代半导体碳化硅功率器件头部企业——基本半导体在公司成立六周年之际宣布完成C2轮融资,由广汽资本、润峡招赢、蓝海华腾等机构联合投资。本轮融资将用于进一步推动碳化硅功率器件的研发进度以及制造基地的建设,着力加强在新能源汽车及光伏发电领域的市场拓展,确保基本半导体在国产碳化硅器件领域的领先地位。
在几家造车新势力高调推出搭载碳化硅芯片模组的主驱逆变器大功率平台电动汽车后,中国功率半导体上车进程开始进入白热化,电车厂纷纷加快碳化硅模块的研发及布局。
5月 31 日,动力总成驱动技术及电气化解决方案供应商纬湃科技与英飞凌科技公司签署了碳化硅合作协议,共同优化碳化硅组件,加快产能提升,以满足强劲增长的电动市场需求。
与ST的长期工程和零件供货合作助力赛米控新eMPack®电源模块系列赢得首张10亿欧元大单
工业应用程序,如服务器电源、不间断电源(UPS)和电机驱动器,消耗了世界上的很大一部分电力。因此,工业电力供应效率的任何提高都将大大降低公司的运营成本。结合更大的功率密度和更好的热性能,对高效电源的需求呈指数级增长。 有几个因素推动了这种增长。第一个是全球对能源意识的提高,以及更明智和更有效地使用能源。第二个是物联网(IoT),它导致各种新技术和服务引入工业应用。
中国北京 - 2022 年 5 月 17 日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列,该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构,这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC 太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。
新器件缩小封装尺寸60%,增强性能并减少损耗
2022年5月11日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)系列,这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构,这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源和感应加热应用。
电动汽车、电信和工业应用对技术的需求不断增长,这促使 Soitec 和应用材料公司共同制定了用于功率器件的下一代碳化硅 (SiC)衬底的联合开发计划。该计划旨在提供技术和产品,以提高下一代电动汽车的 SiC 器件的性能和可用性。
基于独家专利技术 SmartSiC™ 打造,助力提升电力电子设备的性能与电动汽车的能效
2022年4月29日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货 UnitedSiC(现已被Qorvo®收购)的UF3N170400B7S JFET。UF3N170400B7S是一款高性能的第三代碳化硅 (SiC) 常开JFET,为过流保护电路、DC-AC逆变器、开关电源 、功率因数校正模块、电机驱动和感应加热等应用提供了理想解决方案。
电力电子仍然主要基于标准硅器件。虽然三电平和其他硅电路拓扑正在出现以提高效率,但新的碳化硅 (SiC) 设计正在出现,以满足电动汽车不断增长的高功率要求。 三菱电机美国公司的功率器件经理强调了碳化硅与标准硅实现相比的前景。他们表示,可以通过将硅与碳化硅相结合的混合技术来提高效率。例如,具有碳化硅肖特基势垒二极管的硅基绝缘栅双极晶体管 (IBGT) 以相对较小的成本增加实现了效率提高。对于许多应用来说,这代表了成本和性能之间的折衷。
3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基势垒二极管(SBD)扩大了设计人员对交通、能源和工业系统中的高压电力电子产品的选择范围
碳化硅和氮化镓是目前商业前景最明朗的半导体材料,堪称半导体产业内新一代“黄金赛道”。 历史上人类第一次发现碳化硅是在1891年,美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物,这就是碳化硅首次合成和发现。在经历了百年的探索之后,特别是进入21世纪以后,人类终于理清了碳化硅的优点和特性,并利用碳化硅特性,做出各种新器件,碳化硅行业得到较快发展。