【2022年3月7日,德国慕尼黑讯】全球逐步淘汰化石燃料这一趋势给包括交通运输在内的许多行业都带来了挑战。举例来说,整个社会向绿色出行方式转型,就需要减少短途航班及驾车出行,而这势必会促进轨道交通的发展。政府发布的减碳措施也印证了这一点:例如欧洲计划提供高达数十亿欧元的补贴来支持轨道交通的发展。随着传统的内燃机车、轨道车逐步被环保的电力机车所取代,交通运输行业的变革也即将来临。
频率覆盖范围广并且具有高效率和高线性度
近日全球领先的高压集成电路供应商Power Integrations扩充了旗下InnoSwitch™3-AQ产品系列阵容,研发并推出了两款符合AEC-Q100标准、额定电压1700V的汽车级开关电源IC,其“高输入电压,高输出精度”的优势将为业界树立全新性能标杆!
【2022年2月21日,德国慕尼黑和马来西亚居林讯】英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)将显著扩大宽禁带(碳化硅和氮化镓)半导体的产能,进一步巩固和增强其在功率半导体市场的领导地位。公司将斥资逾20亿欧元,在马来西亚居林工厂建造第三个厂区。建成之后,新厂区将用于生产碳化硅和氮化镓功率半导体产品,每年可为英飞凌创造20亿欧元的收入。
2022年2月15日,中国---意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间,简化电路设计。
随着第三代半导体的普及,及对功率密度的高需求,第三代半导体在一些高功率应用领域逐渐取代硅功率器件。而在USB PD 快充产品上为了降低了开关损耗并提高开关频率此前普遍使用氮化镓功率器件。事实上,不仅氮化镓可以用在USB PD快充上,新能源汽车热门功率器件碳化硅MOSFET也很有应用优势。
(全球TMT2022年1月25日讯)2021年6月,历时仅一年就完成建设并顺利点亮投产的“湖南三安”一期项目,在半年后取得新的重大突破。从“碳化硅晶体生长”到”器件封测”的量产线全线贯通,并于11月量产下线碳化硅肖特基二极管全系列产品。近日,从客户处得知,“长沙造”碳化硅二极管...
长沙2022年1月24日 /美通社/ -- 新年第一个月,中国首条碳化硅全产业链垂直整合制造平台 -- 湖南三安“喜提”多个好消息。长沙制造碳化硅二极管量产出货并顺利通过客户验证,车规级二极管接连获得汽车行业客户订单。
意法半导体最新一代碳化硅 (SiC) 功率器件,提升了产品性能和可靠性,保持惯有领先地位,更加适合电动汽车和高能效工业应用。持续长期投资 SiC市场,意法半导体迎接未来增长。
电动汽车、商业运输、可再生能源和存储系统设计人员可从碳化硅协议栈解决方案中获益,提高性能和成本效率,可使产品最多提前6个月上市
比利时、圣吉贝尔山/法国、索菲亚安蒂波利斯 – 2021 年 12 月 9 日。高温半导体和功率模块方面的领导性企业CISSOID 公司,与技术领先的、为新能源汽车超快速和超高安全性实时控制提供现场可编程控制器单元(FPCU)半导体架构的发明者Silicon Mobility公司共同宣布: Silicon Mobility 的 OLEA® FPCU 控制器已与 CISSOID 的碳化硅(SiC) 智能功率模块(IPM)平台实现了集成,双方携手打造的这一全新高集成度平台将加速用于电动汽车电机驱动的紧凑型高效碳化硅逆变器的开发。
上海2021年12月8日 /美通社/ -- 近日,第六届国际碳材料大会组委会发布了关于“2021第六届国际碳材料大会”延期举办的公告,全文如下: 尊敬的参会专家、企业同仁和业界朋友们: 您好。原定于2021年12月13-15日在上海跨国采购会展中心举办的本年度规模最大的碳材...
©芯锂话·半导体组原创/出品作者|董武英编辑|林晓晨2018年,特斯拉在Model3上破天荒的“一掷千金”,在主逆变器中安装了24个由意法半导体生产的碳化硅(SiC)MOSFET功率模块。当时,一块SiC芯片的价格要比传统硅芯片贵十倍左右,即使如今SiC售价有所下降,但SiC芯片...
经过多年的研发,博世目前准备开始大规模量产由碳化硅这一创新材料制成的功率半导体,以提供给全球各大汽车生产商。
产学合作促进新加坡碳化硅生态发展
11月8日消息,露笑科技发布公告称,合肥露笑半导体一期已完成主要设备的安装调试,进入正式投产阶段。这意味着公司碳化硅工艺成熟,达到稳定投产的条件。随着项目进一步建成投产,露笑科技将实现国内6英寸导电型碳化硅衬底片的突破,未来公司业绩有望受益下游电动汽车、充电桩、光伏新能源等市场的...
功率放大器供应商Qorvo,Inc.于美国股市周三(11月3日)盘后宣布收购美国碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiliconCarbide(UnitedSiC)。上述收购将Qorvo的触角延伸至快速增长的电动车(EV)、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源市...
中国 北京,2021年11月4日——移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo®,Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今天宣布,已收购位于新泽西州普林斯顿领先碳化硅(SiC)功率半导体供应商UnitedSiC公司。对UnitedSiC的收购扩大了Qorvo在快速增长的电动汽车(EV)、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源市场的影响力。UnitedSiC公司将成为Qorvo基础设施和国防产品(IDP)业务之一,将由Chris Dries博士领导,他曾是UnitedSiC公司的总裁兼首席执行官,现任Qorvo功率器件解决方案事业部总经理。
加强安森美推动创新和投资颠覆性、高增长技术的能力; 提高安森美的碳化硅(SiC)实力,满足客户对基于SiC方案的需求; 确保为客户供应SiC器件,支持可持续生态系统的快速增长。
传统上在高压功率晶体的设计中,采用硅材料的功率晶体要达到低通态电阻,必须采用超级结技术(superjunction),利用电荷补偿的方式使磊晶层(Epitaxial layer)内的垂直电场分布均匀,有效减少磊晶层厚度及其造成的通态电阻。但是采用超级结技术的高压功率晶体,其最大耐压都在1000V以下。如果要能够耐更高的电压,就必须采用碳化硅材料来制造功率晶体。以碳化硅为材料的功率晶体,在碳化硅的高临界电场强度之下,即使相同耐压条件之下,其磊晶层的厚度约为硅材料的1/10,进而其所造成的通态电阻能够有效被降低,达到高耐压低通态电阻的基本要求。