MOSFET
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开关电源的MOSFET如何选择，看这篇就够了
DC/DC开关控制器的MOSFET选择是一个复杂的过程。仅仅考虑MOSFET的额定电压和电流并不足以选择到合适的MOSFET。要想让MOSFET维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种情况会变得更加复杂。图1—降压同步开关稳压器原理图...
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MOSFET最新市场报告：规模冲百亿美元，留意交期延长变数
根据TrendForce研究显示，MOSFET、IGBT与Bipolar属于功率半导体元件（电晶体领域），用来做为半导体开关，其中MOSFET长年占比超过五成，2020年占52.9％，2021年由于市场需求旺盛，占比有望小幅提升至54.2％。
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650V 60mΩ SiC MOSFET高温性能测试对比，国产器件重载时温度更低
自特斯拉第一次采用ST 650V SiC MOSFET后，目前市场上CREE、UnitedSiC、罗姆、Infineon都有650V SiC MOSFET产品。国内厂商派恩杰半导体也推出了650V 60mΩSiC MOSFET。相较于国外厂商，国内厂商的SiC MOSFET产品性能到底如何？派恩杰半导体采用自主设计的Buck-Boost效率测试平台针对650V 60mΩSiC MOSFET高温性能进行了对比测试。本文分享测试结果。
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首款国产1700V SiC MOSFET获“低碳能效奖“，可提升电源效率4%！
P3M173K0K3是派恩杰半导体有限公司针对高压辅助电源应用而开发，具有较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds(on), 使其广泛适用于工业电机驱动，光伏，直流充电桩，储能变换器器以及UPS等三相功率变换系统中辅助电源设计，可以提高辅助电源系统效率、简化驱动电路设计，降低散热成本，大幅度减少辅助开关电源成本。
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使用合适的MOSFET可以提高太阳能利用效率
在过去的 10-30 年里，气候变化一直是一个备受争议的话题，引发了关于哪些类型的法规是必要的政治讨论。从短期来看，开发更环保的基础设施，摆脱化石燃料等相对廉价的能源，成本要高得多。
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VishaySiC45x系列microBUCK®同步降压稳压器荣获21IC2021年度Top 10电源产品奖
稳压器采用5 mm x 7 mm封装，输出电流达40 A，提高了功率密度和瞬变响应能力
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igbt和电力mosfet在内部结构和开关特性
MOSFET和IGBT的对比
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Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET数字栅极驱动器，可将开关损耗降低50%，同时加快产品上市时间，现已投入生产
新技术使电动公共汽车等电动交通动力系统能够满足并超出严格的环境条件要求，同时 最大限度地提高效率
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如何为我们的应用选择合适的功率 MOSFET 或功率模块的封装
在开始新设计时，工程师常常被功率金属氧化物半导体场效应晶体管 ( MOSFET ) 和功率块的封装选项数量所淹没。
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英飞凌赋能Flex Power Modules全新开关式电容中间总线转换器，为48V数据中心应用提供高功率密度
【2021年9月17日，德国慕尼黑和瑞典斯德哥尔摩讯】近日，Flex Power Modules推出BMR310——一款非隔离式开关电容中间总线转换器(IBC)，可为数据中心提供高功率密度供电，从而提高电路板空间利用率，为其他组件释放空间。
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涨知识！IGBT 和 SiC MOSFET PIM 在太阳能逆变器中的性能比较
点击蓝字 关注我们请私信我们添加白名单如果您喜欢本篇文章，欢迎转载！国际能源署的数据显示，到2030年，太阳能光伏 (PV)装置的装机容量有望达到3,300TWh，与2019年的水平相比，年增率为15%[1]，这意味着能源供应的比例在不断上升。光伏装置的安装是将微型、迷你和电力公...
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安森美电机开发套件获中国2021年Top 10电源产品奖
业界认可该套件的创新加快更高能效的电机控制方案的开发
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SiC 器件专有的可靠性保证途径及其重要性
作为一家开发SiC技术的领先厂商，英飞凌认识到需要更新基于硅器件模型而制定的现有可靠性测试标准，以保证碳化硅器件达到足够高可靠性水平。英飞凌的方法侧重于碳化硅可靠性的三个特定领域。
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UnitedSiC推出业界最佳6mΩ SiC FET
新增的9款器件可实现更高水平的设计灵活性
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MOSFET数据手册，试试这样看！
MOS管数据手册上的相关参数有很多，以MOS管VBZM7N60为例，下面一起来看一看，MOS管的数据手册一般会包含哪些参数吧。极限参数也叫绝对最大额定参数，MOS管在使用过程当中，任何情况下都不能超过下图的这些极限参数，否则MOS管有可能损坏。VDS表示漏极与源极之间所能施加的最...
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温度对MOSFET工作和性能的影响
我们在一些开关电源中会使用MOSFET去做控制。
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MOSFET与电压相关的漏电流
本文将重点讨论与电压相关的漏电流——漏源漏电流 (I DSS ) 和栅源漏电流(I GSS )。
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贸泽联手安森美推出全新资源平台与您分享BLDC电机控制新品与技术见解
2021年9月7日 – 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 与推动节能创新的半导体解决方案知名供应商安森美(onsemi)合作，创建了一个全新内容平台，用于介绍无刷直流 (BLDC) 电机控制资源、产品和技术见解。
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你的MOSFET为什么发热那么严重？
在开关电源电路中，MOSFET作为最核心的器件，却也是最容易发热烧毁的，那么MOSFET到底承受了什么导致发热呢？本文来带你具体分析。 MOSFET工作原理什么是MOSFET？MOSFET是全称为Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTran...
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板子上的MOSFET莫名炸机，多半是这个原因！
MOSFET、IGBT是开关电源最核心也是最容易烧坏的器件！其原因大多是过压或过流导致功耗大增，从而使器件损坏，甚至可能会伴随爆炸。而SOA安全工作区测试，就是保障其安全工作的重要测试项目！ SOA安全工作区SOA指的是安全工作区，由一系列限制条件组成的一个漏源极电压VDS和漏...
