MOSFET
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英飞凌适合高功率应用的QDPAK和DDPAK顶部冷却封装注册为JEDEC标准
【2023年4月13日，德国慕尼黑讯】追求高效率的高功率应用持续向更高功率密度及成本最佳化发展，也为电动汽车等产业创造了永续价值。为了应对相应的挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码： IFNNY）宣布其高压MOSFET 适用的 QDPAK 和 DDPAK 顶部冷却 (TSC) 封装已成功注册为 JEDEC 标准。这项举措不仅进一步巩固了英飞凌将此标准封装设计和外型的TSC 封装推广至广泛新型设计的目标，也给OEM 厂商提供了更多的弹性与优势，帮助他们在市场中创造差异化的产品，并将功率密度提升至更高水准，以支持各种应用。
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Diodes 公司推出功率密度更高的工业级碳化硅 MOSFET
【2023 年 4 月 13 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。这款装置可以满足工业马达驱动、太阳能逆变器、数据中心及电信电源供应、直流对直流 (DC-DC) 转换器和电动车 (EV) 电池充电器等应用，对更高效率与更高功率密度的需求。
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Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET)，管脚尺寸缩小60%
RDS(on)额外降低40%，功率密度提高58倍，适合电信和热插拔计算应用
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使用超低电压 MOSFET 阵列进行设计，第五部分EPAD MOSFET 开关
EPAD MOSFET 在以适当的栅极电压开启时充当开关，其中在漏极和源极端子之间形成导电通道。源极端子作为输入，漏极端子作为输出。开关的导通电阻取决于由栅极电压控制的沟道导通电流。在这种情况下，如果使用增强型器件，则可以通过栅极端子上的正偏置电压打开开关，信号从源极传播到漏极端子。信号本质上可以是数字的或模拟的，只要用户考虑相对于开关通道导通电阻的输入和输出阻抗水平。
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使用超低电压 MOSFET 阵列进行设计，第四部分EPAD MOSFET 隔离和（二极管）钳位介绍
许多电路需要将其输入和输入阻抗与输出阻抗隔离，以便输出负载不会干扰输入信号。这有时可以通过使用晶体管缓冲器或运算放大器缓冲器来实现，每种缓冲器都存在许多设计权衡。例如，使用 ALD110800 零阈值 MOSFET，可以提供这种隔离，同时提供偏置到与输入电平范围相同的电压电平的电路输出。这是零阈值 MOSFET 的基本能力。输入和输出电平也可以偏置在固定电压附近，例如 0.0V。
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使用超低电压 MOSFET 阵列进行设计，第三部分使用超低电源电压驱动
在 5V、3.3V 或更低电压下运行的低压系统通常需要具有 1V 或更低阈值或开启电压的有源 MOSFET 器件。对于模拟设计，该阈值电压直接影响工作信号电压范围。
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使用超低电压 MOSFET 阵列进行设计，第二部分EPAD MOSFET 关键性能特征
EPAD MOSFET 专为实现器件电气特性的出色匹配而设计。这些器件专为实现最小失调电压和差分热响应而构建。由于集成在同一块单片芯片上，它们还具有出色的温度系数跟踪特性。
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使用超低电压 MOSFET 阵列进行设计，第一部分EPAD MOSFET器件介绍
在电路设计中追求更低的工作电压和更低的功耗水平是一种趋势，这给电气工程师带来了艰巨的挑战，因为他们遇到了基本半导体器件特性对他们施加的限制。长期以来，工程师们一直将这些特性视为基本特性，并且可能阻碍了他们将可用电压范围最大化，否则会使新电路获得成功。
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ALD810030 精密MOSFET 为四个匹配的超级电容器进行自动平衡
一种新的精密 MOSFET 阵列——旨在平衡和调节额定电压更高的超级电容器——适用于广泛的应用，如执行器、远程信息处理、太阳能电池板、应急照明、安全设备、条形码扫描仪、高级计量箱和备用电池系统。
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SiC材料的进击路 从国产工规级碳化硅(SiC)MOSFET的发布谈起
据东方卫视报道，我国首款基于6英寸晶圆通过JEDEC(暨工规级)认证的1200V 80mohm碳化硅（SiC）MOSFET产品在上海正式发布。9月4日，一则 “我国将把大力发展第三代半导体产业写入‘十四五’规划”的消息引爆市场，引起第三代半导体概念股集体冲高涨停，场面十分壮观。不可置否，政策是最大的商机。2020年，新基建产业站在了风口上。在以5G、物联网、工业互联网等为代表的新基建主要领域中，第三代半导体承担着重要角色。
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SiC-MOSFET终端区对开关损耗的物理分析
尽管硅是电子产品中使用最广泛的半导体，但最近的研究表明它有一些局限性，特别是在大功率应用中。带隙是基于半导体的电路的相关因素，因为高带隙在高温、电压和频率下的操作方面具有优势。硅的带隙为 1.12 eV，而碳化硅的带隙值高 3 倍，为 3.2 eV，因此性能和效率更高，开关频率更高，总占位面积更小。
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通过使用具有顶部冷却功能的 SMD 封装来提高 DC-DC 转换器的性能
本文分析了表面贴装 (SMD) 封装中的硅 MOSFET在热性能方面与底部冷却封装相比在热性能方面的效率，从而降低了热阻和工作温度。它将展示如何降低结温有助于提高功率效率，因为主要硅 MOSFET 参数会因温度变化(如 RDS (on)和 Vth 电平)而发生更平滑的变化，以及降低总导通和开关损耗。
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具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍
随着半导体行业的最新进展，对具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的研究正在兴起。在 SB MOSFET 中，源极和漏极构成硅化物，而不是传统的杂质掺杂硅。SB MOSFET 的一个显着特征是一个特殊的二极管，如在 I d -V ds特性的三极管操作期间指数电流增加。当在逻辑电路中应用此类器件时，小偏置电压极不可能发生，就会发生这种情况。
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基础电路学习（3）-- MOSFET驱动电路小结
这几天准备测试DCDC电源的时候，发现没有负载，想着要不买一个看看，淘宝搜了一下，看到网上好多都是给电池放电，测试放电曲线用的，价格呢也不是很便宜。想起以前在ADI的官方教程电源大师课中有设计好的负载demo板，立即便下载下来准备打样，自己做一个动态负载切换的PCBA负载切换的原理很简单，主要通过PWM控制MOS管导通截止来使下图右侧的电阻R5短路和断路，其中TP2为DCDC输出电压。
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贸泽电子开售各种面向电源转换应用的英飞凌通用MOSFET
(Mouser Electronics) 提供英飞凌的各种通用MOSFET。英飞凌丰富多样的高压和低压MOSFET产品组合为各种应用提供灵活性、适应性和高价值，可帮助设计师满足项目、价格或物流要求。
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ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
非常有助于提高无线耳机和可穿戴设备等小而薄设备的效率和运行安全性！
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Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍
全面优化12V热插拔和软启动应用中控制浪涌电流的RDS(on)和SOA
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安森美推出采用创新Top Cool封装的MOSFET
顶部冷却简化设计并降低成本，实现小巧紧凑的电源方案
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电机驱动设计：集成驱动器与栅极驱动器的区别
在设计电机控制电路时，确定如何提供驱动电机所需的大电流至关重要。设计人员必须选择是使用具有内部功率器件的单片集成电路 (IC)，还是使用栅极驱动器 IC 和分立的外部功率 MOSFET。
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最新的 dc/dc 控制器与 NexFET 功率 MOSFET 的组合可以提高电源效率
全球能源价格的上涨以及与电子产品相关的运营费用的增加正在成为设备和/或消费品采购决策的重要组成部分。因此，研发工程师一直在寻找降低产品功耗的方法。过去，这主要适用于电池供电的应用，因为效率会严重影响设备的运行时间。然而，这种趋势近年来已经扩大到包括许多离线供电的消费品。
