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[导读]【2022年3月31日,德国慕尼黑讯】在数字化、城市化和电动汽车等大趋势的推动下,电力消耗日益增加。与此同时,提升能源效率的重要性也在与日俱增。为了顺应当下全球发展大势并满足相关市场需求,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点,能够提供卓越的性能。这些SiC器件采用了英飞凌先进的SiC沟槽工艺、紧凑的D2PAK 表面贴装7引脚封装和.XT互连技术,广泛适用于大功率应用,包括服务器、电信设备、工业SMPS、电动汽车快速充电、电机驱动、太阳能系统、储能系统和电池化成等。

【2022年3月31日,德国慕尼黑讯】在数字化、城市化和电动汽车等大趋势的推动下,电力消耗日益增加。与此同时,提升能源效率的重要性也在与日俱增。为了顺应当下全球发展大势并满足相关市场需求,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点,能够提供卓越的性能。这些SiC器件采用了英飞凌先进的SiC沟槽工艺、紧凑的D2PAK 表面贴装7引脚封装和.XT互连技术,广泛适用于大功率应用,包括服务器、电信设备、工业SMPS、电动汽车快速充电、电机驱动、太阳能系统、储能系统和电池化成等。

新产品可在更大电流下提供更出色的开关性能,相比于最佳硅器件,其反向恢复电荷(Qrr)和漏源电荷(Qoss)降低了80%。通过降低开关损耗,该产品可在缩小系统尺寸的同时,实现开关频率,从而提高能效和功率密度。沟槽技术为实现卓越的栅极氧化层可靠性奠定了基础,加之经过优化的耐雪崩击穿能力和短路耐受能力,即使在恶劣环境中亦可确保极高的系统可靠性。SiC MOSFET不仅适用于连续硬换向情况,而且可以在高温等恶劣条件下工作。由于它们的导通电阻(RDS(on))受温度的影响小,这些器件实现了出色的热性能。

由于具备较宽的栅源电压(VGS)范围,为-5 V至23 V, 支持0 V关断以及大于4 V的栅源阈值电压(VGS(th)),新产品可以搭配标准的MOSFET栅极驱动器IC使用。此外,新产品支持双向拓扑,具有完全的dv/dt可控性,有助于降低系统成本和复杂度,并且易于在设计中使用和集成。.XT互连技术大幅提高了封装的散热性能。与标准互连技术相比,.XT互连技术可额外耗散30%的损耗。英飞凌新推出的采用D2PAK 7引脚封装的SiC MOSFET产品组合包括10款新产品,是市面上型号最齐全的产品系列之一。

供货情况

采用D2PAK 7引脚封装(TO-263-7)的650 V CoolSiC MOSFET系列新产品现已开放订购。

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