MOSFET
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说明 SiC MOSFET 在电力电子中的优势
电力设计是由市场需求驱动的，以提高效率和生产力，同时符合法规要求。最重要的最终用户需求几乎总是更小、更轻、更高效的系统，这得益于功率半导体设计的重大创新。在硅 MOSFET 和 IGBT 长期以来一直在功率半导体中占据主导地位的地方，宽带隙 (WBG) 技术，尤其是碳化硅 (SiC) 技术的最新进展正在为电力电子系统的设计人员带来额外的好处，提高效率和更高的电压能力，从而减少形式因素。
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新增国产耗尽型MOSFET，世强硬创全线代理方舟微消费/工业类产品线
2022年3月24日，世强硬创平台与成都方舟微电子有限公司(下称“方舟微“)签署合作协议，方舟微授权世强硬创平台代理旗下耗尽型MOSFET、增强型MOSFET和保护器件等全线产品。
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国际碳化硅专利布局报告出炉，MOSFET量产公司派恩杰受关注
在几家造车新势力高调推出搭载碳化硅芯片模组的主驱逆变器大功率平台电动汽车后，中国功率半导体上车进程开始进入白热化，电车厂纷纷加快碳化硅模块的研发及布局。
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EPC新推最小型化的40 V、1.1 mΩ 场效应晶体管，可实现最高功率密度
宜普电源转换公司(EPC)新推40 V、1.1 mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2066)，为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。
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Diodes 公司 PowerDI8080 封装的 MOSFET 提升现代汽车应用功率密度
【2022 年 05 月 26 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出创新高电流、高热效率且符合电动车 (EV) 产品应用需求的功率封装 PowerDI®8080-5。PowerDI®8080-5 封装的首款产品为 DMTH4M70SPGWQ，在 10V 闸极驱动下，此款符合汽车规格的 40V MOSFET 典型 RDS(ON) 仅为 0.54mΩ，闸极电荷为 117nC。如此领先业界的效能使汽车高功率 BLDC 马达驱动器、DC-DC 转换器及充电系统的设计人员能大幅提升系统效率，同时确保将功耗维持在绝对最低水平。
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耐用性更高的新型沟槽型功率MOSFET
在线性模式工作时，MOSFET必须在恶劣工作条件下工作，承受很高的漏极电流(ID)和漏源电压 (VDS)，然后还需处理很高的功率。这些器件必须满足一些技术要求才能提高耐用性，还必须符合热管理限制，才能避免热失控。
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意法半导体推出全新MDmesh MOSFET，提高功率密度和能效
2022 年 5 月 18日，中国 – 意法半导体的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 (SMPS)。
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在电池保护应用中如何选择 MOSFET器件
在这篇文章中，我们将研究 MOSFET 用于电池保护。 每年，越来越多的电子设备由包含锂离子 (Li ion) 电池的电池供电。高功率密度、低自放电率和易于充电使其成为几乎所有便携式电子产品的首选电池类型——如今，从口袋里的手机到每天数以百万计开车上班的电动汽车，应有尽有由锂离子电池供电。尽管它们具有许多优点，但这些电池也带来了一定的风险和设计挑战，如果不成功缓解这些风险和设计挑战，可能会导致灾难性的后果。我认为没有人会很快忘记 2016 年爆炸性的 Galaxy S7 设备平板电脑和随后的召回。
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负载开关的应用如何选择 MOSFET器件
MOSFET 被用作负载开关的次数超过了在任何其他应用中的使用量，一次数量为数亿个。我可能应该从我在这里定义“负载开关”的确切方式开始。为了这篇文章的缘故，考虑负载开关任何小信号 FET，其在系统中的唯一功能是将一些低电流 (
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如何选择 MOSFET – 开关电源应用
在当前市场上，高性能功率 MOSFET 最常见的用途或许也是选择最合适的 FET 的最大挑战。性能、价格和尺寸之间的权衡从来没有比开关模式电源 (SMPS) 中使用的 MOSFET 更混乱。 遍历一个详尽的 SMPS 拓扑列表，包括隔离的和非隔离的，并列出每个拓扑最重要的考虑因素，这可能需要一个新奇的 - 一个比我这样的简单营销工程师拥有更多技术知识的应用程序专家。但我确实希望在本博客的后续段落中，我可以提供至少一些技巧和陷阱来避免。
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如何选择 MOSFET，基于各方面考量
在复杂的电源设计中，金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的选择往往是事后才考虑的。毕竟，它只是一个三针设备。它有多复杂，对吧？但是任何喜欢生蚝的人都会（试图）告诉你，外表可能是骗人的。尝试选择正确的 MOSFET 或“FET”可能比我们想象的要复杂。
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Nexperia推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合
在LFPAK封装中采用新型SOA(安全工作区) Trench技术，可提供出色的瞬态线性模式性能，为设计人员带来体积更小、更可靠的选择。
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安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET
新器件缩小封装尺寸60%，增强性能并减少损耗
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如何为 SiC MOSFET 选择合适的栅极驱动器
碳化硅 (SiC) MOSFET 在功率半导体行业取得了重大进展，这要归功于与硅基开关相比的一系列优势。这些包括更快的开关、更高的效率、更高的工作电压和更高的温度，从而产生更小、更轻的设计。 这些属性导致了一系列汽车和工业应用。但是像 SiC 这样的宽带隙器件也带来了设计挑战，包括电磁干扰 (EMI)、过热和过压条件，这些可以通过选择正确的栅极驱动器来解决。
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TI的FemtoFET功率 MOSFET 减少PCB体积
《星际迷航》如何预测未来的技术进步继续让我感到惊讶。《星际迷航：原始系列》中的手持通讯器在 1960 年代作为道具出现在电视节目中时似乎是一个奇迹。然而，它又大又笨重，而且在几集中，通讯器丢失或停止工作，这使得传送回船上是不可能的。
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如何使用栅极驱动器设备来控制继电器
虽然 MOSFET/IGBT 栅极驱动器设计用于以短时间高峰值电流驱动高频容性负载，但我们知道它们还可以驱动感性负载，例如功率继电器线圈吗？这就是 MOSFET/IGBT 栅极驱动器的秘密生命。 这不是新概念。当它们驱动感性负载时，它们通常以低得多的频率切换，驱动电流受线圈电阻的限制。栅极驱动 IC 已用于驱动电感负载，例如栅极驱动变压器，但频率范围为数十至数百千赫。
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同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的600V耐压超级结 MOSFET “R60xxVNx系列”
非常有助于降低工业设备和白色家电的功耗
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最全！盘点20V到1700V全覆盖的国产MOSFET功率器件，工温最高175℃
MOSFET作为不可替代的基础性产品，被广泛应用在各个领域。在全球节能减排大环境下， MOSFET相比于IGBT和三极管器件功耗低、工作频率高，无电流拖尾等现象产生。世强硬创平台汇聚国产知名MOSFET功率器件制造商， 可提供20V-1700V，包含低压，中压，高压MOSFET，工作温度最高可达175℃，推动研发项目快速国产化选型。
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ST几款高压半桥驱动器介绍
ST的高压驱动器旨在优化矢量电机驱动系统，在高开关频率和智能关机时具有优异的性能，以保护最终应用。 STDRIVE MOSFET和IGBT栅极驱动器集成了一个比较器保护，一个运放电流传感和一个集成的引导二极管，从而减少了系统级别所需的外部组件的数量。
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级联 MOSFET 中高压转换器的设计注意事项
金属氧化物半导体场效应管（英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），简称金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”的极性不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常又称为N型金氧半场效晶体管（NMOSFET）与P型金氧半场效晶体管（PMOSFET）。
