当前位置:首页 > 电源 > 电源
[导读]引言 总线电压浪涌不仅对DC/DC转换器构成危险,也对负载带来威胁。传统的过压保护方案采用熔丝,其动作速度和可靠性均未必足以保护诸如FPGA、ASIC和微处理器等负载。一种

引言

总线电压浪涌不仅对DC/DC转换器构成危险,也对负载带来威胁。传统的过压保护方案采用熔丝,其动作速度和可靠性均未必足以保护诸如FPGA、ASIC和微处理器等负载。一种较好的解决方案是可准确和快速地检测过压情况,随后通过迅速断接输入电源并利用一条低阻抗通路释放负载上的过电压来做出响应。借助LTM4641中的保护功能就可做到这一点。

电源和保护

LTM4641是一款4.5V至38V输入、0.6V至6V输出、10A降压型μModule稳压器,其具有高级输入和负载保护选项,包括:

(A)输入保护

●具闭锁门限的欠压闭锁、过压停机

●N沟道过压电源中断MOSFET驱动器

●能利用少量外部元件构成浪涌抑制器

(B)负载保护

●稳健、可复位的闭锁过压保护

●N沟道过压放电功率MOSFET驱动器

此外,针对下列故障的跳变检测门限是可定制的:输入欠压、过热、输入过压和输出过压。特定的故障情况发生时可设定为闭锁或迟滞重启响应——或者停用。

输出过压和负载保护

电源和半导体控制IC行业中的常用输出过压保护方案是接通同步(底端)MOSFET.这种方法可在严重的负载电流下降过程中提供某些过压保护,但在避免负载遭受诸如高压侧功率开关MOSFET短路等真实的故障情况则并不是非常有效。如图1所示,当把一个输出放电MOSFET(MCB)和一个输入串联MOSFET(MSP)配合起来使用时,LTM4641可提供同类最佳的输出过压保护。


图1:具输入断接和快速放电输出过压保护功能的LTM4641



MCB是一个任选的外部放电器件,其位于VOUT上。假如输出电压超过了一个可调门限(默认值为高出标称值11%),则LTM4641立即将其CROWBAR输出逻辑拉至高电平(响应时间的最大值为500ns)并闭锁其输出电压:功率级变至高阻抗状态,而且内部顶端和底端MOSFET均被闭锁。CROWBAR输出接通MCB,对输出电容器进行放电并防止输出电压发生任何进一步的正向摆动。

MSP被置于输入电源(VIN)和LTM4641的功率级输入引脚(VINH)之间,并被用作一个可复位的电子式电源中断开关。当LTM4641的内部电路检测到某种故障状况,例如一个输出过压(OOV)情况,MSP的栅极在2.6μs(最大值)内放电,而MSP关断。于是输入电源与LTM4641的功率级输入(VINH)断接,从而可阻止有害的(输入)电压到达昂贵的负载上。另外,LTM4641还采用一个独立的基准电压以产生一个OOV门限(与控制IC的带隙电压分开)。

图1示出了当顶端MOSFET MTOP发生故障(因而在VIN和SW节点之间引起短路)时的CROWBAR和VOUT波形。CROWBAR在500ns内变至高电平,并接通MCB以将输出短路至地。VOUT不可以超过规定输出电压的110%.

输入过压和欠压保护

LTM4641具有输入欠压和过压保护功能,其跳变门限可由用户设定。请参阅图2.

UVLO引脚直接将信号馈入一个比较器的反相输入,其跳变门限为0.5V.当UVLO引脚电压降至低于0.5V时,开关动作被禁止;当UVLO引脚电压超过0.5V时,可恢复执行开关动作。IOVRETRY和OVLO引脚各自直接将信号馈入跳变门限为0.5V之比较器的同相输入端。当IOVRETRY引脚电压超过0.5V时,开关动作被禁止;当IOVRETRY引脚电压降至0.5V以下时,开关动作可恢复。当OVLO引脚电压超过0.5V时,开关动作被禁止;而当OVLO引脚电压随后降至低于0.5V时,开关动作则要到锁存器被复位之后才能恢复。这三个引脚为定制LTM4641的运行方式提供了附加的灵活性。


图2:用于设定输入UVLO、IOVRETRY和OVLO门限的电路

效率

图3示出了当采用12V的典型输入电压时LTM4641的效率曲线(针对图1所示的电路)。尽管内置了所有这些保护电路,LTM4641仍能实现高效率。


图3:LTM4641的效率曲线


结论

LTM4641μModule稳压器可监察输入电压、输出电压和温度状况。该器件能够提供全面的电气和热保护功能,从而避免处理器、ASIC和高端FPGA等负载遭受过大电压应力而受损。

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

DrMOS,全称Driver-MOSFET,是一种由Intel在2004年推出的高效节能技术。它通过将MOSFET和MOS驱动器集成到同一封装中,实现了尺寸和功效的优化。

关键字: 全桥 驱动芯片 MOSFET

【2024年4月15日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。...

关键字: MOSFET 导通电阻 电动汽车

【2024年4月12日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY)推出采用 OptiMOS™ MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术,具有出...

关键字: MOSFET DCDC转换器 无刷直流驱动器

门驱动器,作为电力电子技术中的关键组件,是连接控制系统与功率半导体器件之间的重要桥梁。它的主要功能是将微控制器或控制电路发出的低电平控制信号转化为能够驱动大功率半导体器件(如绝缘栅双极型晶体管IGBT、金属氧化物半导体场...

关键字: 门驱动器 MOSFET

在电子科技日新月异的今天,各类电子元器件的性能和参数成为了研究和应用的关键。其中,2N7002作为一种广泛应用的N沟道MOSFET,其导通电压是众多工程师和技术人员关注的焦点。那么,2N7002的导通电压究竟是多少?它又...

关键字: MOSFET 电子元器件 2n7002

MOSFET是一种场效应晶体管(FET),全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。

关键字: MOSFET 电子元件 场效应晶体管

2024 年 3 月 28 日,中国– STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。

关键字: MOSFET 硅片 DC/DC转换器

【2024年3月20日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列,使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合...

关键字: MOSFET 半导体 电池管理系统

【2024年3月14日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET,以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增...

关键字: MOSFET SiC 车载充电器

【2024年3月13日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能...

关键字: MOSFET 碳化硅 电动汽车
关闭
关闭