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实现SiC器件与高速电机、电控系统的全方位优化、匹配，追求最佳效率、功率密度及可靠性，满足工业和新能源汽车应用的更高需求
CISSOID与华中科技大学电气与电子工程学院达成深度战略合作协议，双方将共同开展相关前沿技术的研究开发
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电路中的碳化硅
什么是SiC?它的作用是什么?SiC材料在能源解决方案中的应用正在汽车和工业市场中加速发展。制作碳化硅(SiC)晶圆比制作硅晶圆要复杂得多，并且随着对SiC器件需求的增加，制造碳化硅(SiC)器件的公司不得不确定SiC晶圆的来源。
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SiC MOSFET在汽车和电源中的应用
科学技术的不断发展推动者电子元器件的不断革新，传统硅基MOSFET技术日趋成熟，正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好，能够提高MOSFET的性能，是一项关注度很高的替代技术。商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件，被广泛用于电源、电机驱动等电路设计。
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ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)的SiC功率元器件(SiC MOSFET*1)被应用于中国汽车行业一级综合性供应商
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安森美推出宽禁带器件：900V和1200V SiC MOSFET
新的SiC MOSFET器件实现更好的性能、更高的能效和能在严苛条件下工作
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CISSOID三相SiC MOSFET智能功率模块问市
这个全新的可扩展平台同时优化了功率开关的电气、机械和散热设计及其临界控制，对于电动汽车（EV）整车厂和愿意快速采用基于碳化硅的逆变器以实现更高效、更简洁电机驱动的电动机制造商而言，该平台可以帮助他们加快产品上市时间。
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CISSOID强劲可靠的栅极驱动器为 Wolfspeed的快速开关碳化硅（SiC）功率模块提供支持
各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID日前宣布，为Wolfspeed提供强劲可靠的栅极驱动器，以支持其XM3碳化硅（SiC）MOSFET功率模块。
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新型IGBT诞生，made in China
当前，碳化硅基功率器件面临着严峻的挑战，现有的碳化硅基肖特基二极管，MOSFET等器件并不能有效地满足实际应用需要，对IGBT器件的需求日益迫切，必须突破碳化硅基IGBT研究中的瓶颈问题，增加器件耐压强度
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除了业界最小RDSon之外，与硅器件相同的驱动特性才是United SiC FET的杀手锏
采用Si基MOSFET和SiC基的JFET，采用共源共栅的方式将其烧结在一起，是United SiC的最大设计特色。这种结构确保其产品可以保持与Si类功率器件保持一致的驱动电压，从而可以帮助可以直接在原有的Si基础的电路中进行直接的升级和替换。而此次最新推出的UF3SC系列SiC器件，更是以小于10mΩ的业界最低Rds(on)将SiC器件的性能提升到了新的高度，面对电动汽车和5G等全新应用需求，United SiC可以给客户提供集成度更高、更加高效、更为稳定可靠的解决方案。
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为什么超低阻抗SiC FET受欢迎？
与包括SiC MOSFET、硅MOSFET和GaN HEMT在内的其他可用功率晶体管相比，常开型SiC JFET的单位芯片面积具有更低的导通阻抗。如图1a所示，当低压MOSFET堆叠在JFET上时，为了实现图1b的共源共栅架构，就形成了低阻抗常关断型开关
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UnitedSiC新款SiC FET
新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布将推出四种新型SiC FET――UF3SC。据介绍，该产品的RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，适用于电动汽车（EV）逆变器、高功率DC/DC转换器
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意法半导体完成对碳化硅晶圆厂商Norstel AB的并购
从材料专业知识和工艺工程，到SiC MOSFET和二极管设计制造，意法半导体加强内部SiC生态系统建设
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科锐与意法半导体扩大并延伸现有SiC晶圆供应协议
科锐与意法半导体宣布扩大并延伸现有多年长期碳化硅(SiC)晶圆供应协议至5亿多美元。意法半导体是全球领先的半导体供应商，横跨多重电子应用领域。这一延伸协议是原先协议价值的双倍，科锐将在未来数年向意法半导体提供先进的150mm SiC裸晶圆和外延片。这一提升的晶圆供应，帮助意法半导体应对在全球范围内快速增长的SiC功率器件需求，特别是在汽车应用和工业应用。
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SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著
摘要：传统硅基MOSFET技术日趋成熟，正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好，能够提高MOSFET的性能，是一项关注度很高的替代技术。
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1200V 450A全SiC半桥功率模块问世
根据Wolfspeed的说法，该半桥模块利用了公司优化的第三代MOSFET技术。XM3的SiC封装最高支持175°C。 Wolfspeed表示，XM3功率模块平台可最大限度地发挥SiC的优势，同时保持模块和系统设计的稳健，简单和经济高效等特性。
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关于SiC在电动车市场的应用
电源设计的工程师已经意识到SiC晶体管确实是新开关模式设计的最佳选择，虽然它们可能比替代品贵一点，但它们提供了更多优势。以下是SiC与MOSFET和IGBT相比的优势：
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科锐将在美国建造全球最大SiC制造厂
这一新制造工厂是先前所宣布计划的一部分，旨在显著提升用于Wolfspeed碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）业务的产能，将建设成为一座规模更大、高度自动化和更高生产能力的工厂。
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意法半导体提供先进的碳化硅功率电子器件，助力雷诺-日产-三菱联盟下一代电动汽车快充技术研发
·碳化硅(SiC)是一种性能极高的功率半导体技术，使可持续发展的智慧出行模式前景可期 ·意法半导体SiC器件的高能效、耐高温表现、高可靠性和小尺寸让电动汽车更具吸引力
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贺利氏铂电阻温度传感器亮相2019中国(上海)传感器技术与应用展
近年来，由于市场对传感器技术的需求不断增长，贺利氏凭借适用于各类应用的温度传感器产品取得了强劲的增长。贺利氏温度传感器能够精确测量高达1050°C的温度，强大的技术优势让贺利氏在铂电阻传感器市场不断扩大市场份额。
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SiC等新一代材料的功率器件开发
在科学技术飞速发展的今天，离不开我们科研人员的辛勤付出，制造出如此多的电子产品，然而大家只关注这些产品的使用，只有研究人员会关注内部结构，这其中就要数功率器件了。从诞生之日起，市场对功率器件的需求都是一致的，即追求更快的开关速度、更高的耐压、更大的电流、更强的耐冲击性能、更好的高频性能、更低的驱动损耗等。
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