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[导读]IGBT的栅极过压的原因1.静电聚积在栅极电容上引起过压。2.电容密勒效应引起的栅极过压。 为防止IGBT的栅极-发射极过压情况发生,应在IGBT的栅极与发射极之间并接一只几十千

IGBT栅极过压的原因

1.静电聚积在栅极电容上引起过压。

2.电容密勒效应引起的栅极过压。

 

IGBT<strong><strong>绝缘栅双极晶体管</strong></strong>栅极过压<strong>保护电路图</strong>

 

为防止IGBT的栅极-发射极过压情况发生,应在IGBT的栅极与发射极之间并接一只几十千欧的电阻,如上图所示。此电阻应尽量靠近栅极与发射极。

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