紫光建DRAM厂 加速布局内存版图，让台厂担心

8月27日，紫光集团宣布，将投建一座专注于12英寸DRAM存储芯片制造的工厂，该工厂将于今年年底开工，预计2021年建成投产。中国台经院研究员对此表示，大陆积极补足内存版图上的空白，但中国台湾地区恐面临人才的流失。

据经济日报报道，中国台湾经济研究院研究员暨产业顾问刘佩真表示，大陆跨足内存领域，实现在储存市场技术及产品的自主可控性，中长期来说将在内存供需及竞争层面上增加变量，然短期仍有两道门坎有待突破。而这对中国台湾地区来说，可能将导致人才流失。

刘佩真指出，大陆积极补足内存版图上的空白，早在2014年就开始逐步推动，随着中美贸易战的延烧，更快加速在内存领域上的布局是必然的趋势，目的在实现使储存领域的技术及产品更加具有自主可控性。

她说，中长期来说，紫光投入技术垄断、国际三大厂市场垄断、产能投资巨大、且周期性波动剧烈的全球性内存行业，将增加内存供需及竞争层面上的变量。

不过，短期来看，紫光集团投建DRAM厂仍有相当的门坎要突破，刘佩真表示，在DRAM领域，国际大厂早就在全球布局绵密的专利网，加上大陆海外收购资产及人才的管道遭到阻绝，在缺乏技术专利及人才短缺下，短期中切入DRAM的困难度比NAND还要大。

刘佩真补充说，福建晋华与联电的合作案，因美光而停摆就是一个例子；她认为，大陆要在短期内跨入DRAM，难度很高；不过，大陆本来就积极要补足内存的空白版图，紫光集团担当其中要角，自然是必须拿出动作来。

但同时，刘佩真还表示，对此中国台湾则有一大担心，就是在人才的这一块，陆厂来台“挖角”的动作从来没有停止过，从IC设计、内存、晶圆代工，台湾的高端人才不断的流失，由于大陆的人才缺口相当大，未来台厂的这个威胁并不会停止，台厂要思考，如何留住内存的关键人才。

报道指出，在半导体、内存领域，中芯国际、紫光等集团不断从台厂“挖角”，包括出任紫光集团DRAM事业群CEO的高启全，出任武汉新芯总经理兼首席执行官的联电前副董事长孙世伟；中芯国际则是先后挖角台积电前共同COO蒋尚义、前研发处长杨光磊。