三星拟率先量产3nm芯片制造工艺 性能较5nm预计提升30%

1月3日消息，据国外媒体报道，在芯片制造工艺方面，为苹果、华为等制造芯片的台积电近几年走在行业的前列，率先量产了7nm工艺，更先进的5nm工艺预计在今年一季度投产。

但在下一代的3nm芯片制造工艺方面，台积电可能会有来自三星的挑战，后者拟率先使用这一先进的工艺制造芯片。

外媒是在三星电子实际领导人李在镕参观韩国京畿道华城的半导体研发中心的报道中，透露三星拟率先量产3nm工艺的，在当地时间周四的这一次参观中，李在镕他们讨论了成为全球首个利用3nm工艺制造芯片的战略。

从外媒的报道来看，三星电子的3nm制程工艺，将采用GAA架构，这一架构也是目前FinFET技术的继任者，能使芯片制造商发展到微芯片的工艺范围。

在3nm的工艺量产之前，三星还需要量产5nm工艺，三星在去年4月份完成了基于EUV技术的5nm FinFET制程技术的研发，预计在今年上半年能够大规模量产。

三星方面表示，同5nm制程工艺相比，3nm GAA技术能使芯片的理论面积缩小35%，能耗则能降低50%，性能则会提高30%。

周四参观华城的半导体研发中心，是三星电子披露的李在镕在2020年的首个官方行程，三星的发言人表示，李在镕再次参观华城的报道体研发中心，凸显了三星电子成为顶级非存储芯片制造商的决心。

亚马逊、Facebook等没有芯片制造能力的科技巨头们都已开始自研AI芯片和数据中心芯片，以更好的适应自身业务的发展，这也将导致对芯片制造需求的增加，三星已看好这一领域的发展，准备增加在芯片制造方面的投资，去年年底，三星电子已宣布计划未来10年投资133万亿韩元，折合约1147亿美元，用于发展芯片制造业务。