交流电变直流电，这款智能整流器将是好助手!

在下述的内容中，小编将会对MPS MP6973智能整流器的相关消息予以报道，如果智能整流器是您想要了解的焦点之一，不妨和小编共同阅读这篇文章哦。

整流器是一个整流装置，简单的说就是将交流(AC)转化为直流(DC)的装置。它有两个主要功能：第一，将交流电(AC)变成直流电(DC)，经滤波后供给负载，或者供给逆变器;第二，给蓄电池提供充电电压。因此，它同时又起到一个充电器的作用。下面，我们来看看MPS的MP6973智能整流器。

MP6973 是一款用于反激变换器的快速关断智能整流器，其内部集成了 100V/14mΩ MOSFET。它可以取代二极管整流器，实现更高的效率和功率密度。MP9989 可将内部开关管的正向电压压降调节至 VFWD(40mV)，并在漏源电压反向之前，将开关管关断。

MP6973 针对低端整流进行了优化。内部振铃检测电路可以防止 MP6973 在断续导通模式(DCM)式或准谐振工作期间发生误导通。

MP6973 采用 SOIC-8 封装。

产品优势：

• 在单个封装中集成 MOSFET 和 SR 控制器

• 针对低端整流优化效率

• 内部振铃检测电路可防止 DCM 工作期间误导通

MP6973智能整流器支持在非连续导通模式 (DCM) 和连续导通模式 (CCM) 以及准谐振 (QR) 反激式转换器下运行。控制电路在正向模式下控制栅极，并在同步整流 (SR) MOSFET 电流降至零时关闭栅极。

在VDD 生成方面，VDD 的外部电容为 IC 供电。 首先，SENSE 通过具有 IVDD_SEN 的电流源为电容器充电。 当 UVLO < VDD < VDD_SENSE (5V) 时，HVC 和 SENSE 都可以给 VDD 充电。 但是，当 VDD 超过 VDD_SENSE 时，HVC 通过带有 IVDD_HVC 的电流源单独为 VDD 充电。如果 VHVC < 5.7V，则 VDD 被调节为 VDD_SENSE (5V)。 当 5.7V < VHVC < 6.7V 时，VDD 被调节在 VHVC - 0.7V(内部电流相关的正向二极管压降)。 当 VHVC > 6.7V 时，VDD 被钳位在 VDD_HVC (6.7V)。

在启动和欠压锁定 (UVLO)方面，当 VDD 超过 VDD UVLO 上升阈值 (4.2V) 时，MP6973 智能整流器退出欠压锁定 (UVLO) 并启用。 一旦 VDD 降至~4.0V 以下，MP6973 智能整流器进入睡眠模式并且 VGS 保持低电平。

在开启阶段，当 VDS 降至~2V 时，开启定时器开始计时。如果 VDS 在开启压摆率检测时间 (30ns) 内从 2V 达到开启阈值 (-80mV)，则 MOSFET 在开启延迟后开启 ( tD_ON)，通常为 20ns。 如果定时器结束后 VDS 超过开启阈值，则栅极电压保持关闭。该开启定时器可防止 MP6973 智能整流器由于 DCM 中的振铃和准谐振操作而错误开启。

在开启消隐方面，控制电路包含消隐功能。 当 MOSFET 导通时，控制电路确保导通状态持续一段特定的时间。开启消隐时间 (tB-ON) 约为 1.2µs，以防止因振铃而意外关闭。但是，如果 VDS 在导通消隐时间内达到 1.8V，则 VGS 会立即被拉低。

在传导阶段，一旦 VDS 超过正向压降 -VFWD (-40mV)，MP6973 智能整流器根据开关电流的下降，降低栅极电压电平，以增大同步 MOSFET 的导通电阻。 使用这种控制方案，即使流过 MOSFET 的电流相当低，VDS 也被调整为大约等于 VFWD。 该功能在同步 MOSFET 关断时将驱动器电压保持在非常低的水平，从而提高关断速度，对于 CCM 操作尤其重要。

在关断阶段，当 VDS 上升以触发关断阈值 (-3mV) 时，栅极电压会在短暂的关断延迟 (tD_OFF) 后拉至零，通常为 25ns。

在关闭消隐方面，在栅极驱动器 (VGS) 被 VDS 拉至关零阈值 (-3mV) 后，应用关断消隐时间，在此期间，栅极驱动器信号被锁存。当 VDS 超过 VB-OFF (2V) 时，关闭消隐被移除。

在压摆率检测方面，在 DCM 操作期间，消磁振铃可能会使 VDS 低于 0V。 如果 VDS 在振铃期间达到开启阈值，则没有压摆率检测的 SR 控制器可能会错误地开启 MOSFET。 这不仅会增加功率损耗，而且如果初级侧 MOSFET 在 SR 控制器的最短导通时间内导通，还可能导致击穿。振铃的下降压摆率始终远小于初级 MOSFET 已关闭; 压摆率检测功能可以防止这种错误的开启情况。 当压摆率小于阈值时，即使 VDS 达到开启阈值，IC 也不会开启栅极。

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