西数明年底量产BiCS6闪存：162层堆栈、接口速度翻倍

时间：2021-12-08 17:05:26

关键字：接口 IC GBPS 东芝

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[导读]2021年闪存逐渐从96层过渡到了128层为主，再往下就是170层到200层的了，每家闪存厂商的方案都有所不同，西数将在明年底量产BiCS6代3D闪存，堆栈层数提升到162，而且接口速度翻倍。在闪存市场上，西数跟东芝是合作研发、生产的，BiCS技术其实主要是来自东芝，目前量产的主...

2021年闪存逐渐从96层过渡到了128层为主，再往下就是170层到200层的了，每家闪存厂商的方案都有所不同，西数将在明年底量产BiCS6代3D闪存，堆栈层数提升到162，而且接口速度翻倍。
在闪存市场上，西数跟东芝是合作研发、生产的，BiCS技术其实主要是来自东芝，目前量产的主力是BiCS5，2019年2月份发布，堆栈层数112层，核心容量512Gbit，接口速度1.066Gbps。
BiCS6闪存是下一代产品，堆栈层数最终确定为162层，而非之前所说的170 层，核心容量也提升到了1Tbit，另外就是接口速度也将达到2.0Gbps，相比上代翻倍，不过距离三星最新的8代V-NAND闪存的2.4Gbps还有点距离。
根据西数的计划，BiCS6闪存将从明年初开始生产，但真正大规模量产要到2022年底了，现在的BiCS5闪存还要过渡至少一年。

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