化合物半导体

化合物半导体多指晶态无机化合物半导体，即是指由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。包括晶态无机化合物[1](如III-V族、II-VI族化合物半导体)及其固溶体、非晶态无机化合物(如玻璃半导体)、有机化合物(如有机半导体)和氧化物半导体等。通常所说的化合物半导体多指晶态无机化合物半导体。

研究半导体材料的制备、分析以及半导体器件和集成电路生产工艺中的特殊化学问题的化学分支学科。通常所说的化合物半导体多指晶态无机化合物半导体，即是指由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。包括晶态无机化合物[1](如III-V族、II-VI族化合物半导体)及其固溶体、非晶态无机化合物(如玻璃半导体)、有机化合物(如有机半导体)和氧化物半导体等。通常所说的化合物半导体多指晶态无机化合物半导体。主要是二元化合物如：砷化镓、磷化铟、硫化镉、碲化铋、氧化亚铜等，其次是二元和多元化合物，如镓铝砷、铟镓砷磷、磷砷化镓、硒铟化铜及某些稀土化合物(如SeN、YN、La2S3等)。多采用布里奇曼法(由熔体生长单晶的一种方法)、液封直拉法、垂直梯度凝固法制备化合物半导体单晶，用外延法、化学气相沉积法等制备它们的薄膜和超薄层微结构化合物材料。用于制备光电子器件、超高速微电子器件和微波器件等方面。

半导体材料的种类繁多，从单质到化合物，从无机物到有机物，从单晶体到非晶体，都可以作为半导体材料。根据材料的化学组成和结构，可以将半导体划分为：元素半导体，如硅(Si)、锗(Ge);二元化合物半导体，如砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb);三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP;固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半导体(又称非晶态半导体)，如非晶硅、玻璃态氧化物半导体;有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。

半导体化学是在1948年发明晶体管之后逐渐形成的，是一门交叉学科，涉及到无机化学、有机化学、分析化学、物理化学、高分子化学、晶体化学、配位化学和放射化学等许多领域的理论和内容。半导体化学的研究对象主要是高纯物质，在半导体技术中，随着半导体朝高频、大功率、高集成化方向发展，对半导体材料以及在制作半导体器件、集成电路过程中所用的各种试剂的纯度，提出了越来越高的要求，有害杂质含量不超过10-6%～10-8%，有的甚至要求杂质含量10-9%～10-10%。

半导体化学的内容可以概括为：①硅、锗、砷化镓等半导体材料的物理化学性质及其提纯精制的化学原理，完整单晶体的制取、完整单晶层的生长以及微量杂质有控制地掺入方法。②半导体器件和集成电路制造技术如清洗、氧化、外延、制版、光刻、腐蚀、扩散等主要工艺过程及化学反应原理。③半导体器件及集成电路制造工艺中所用掺杂材料、化学试剂、高纯气体、高纯水的化学性质、制备原理及纯度标准。④超纯物质分析及结构鉴定方法，如质谱分析、放射化分析、红外光谱分析等。