美光技术领先全球！台积电称赞：美光技术全面超越三星

美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)是高级半导体解决方案的全球领先供应商之一。通过全球化的运营，美光公司制造并向市场推出DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器、其它半导体组件以及存储器模块，用于前沿计算、消费品、网络和移动便携产品。美光公司普通股代码为MU，在纽约证券交易所交易(NYSE)。

Micron Technology(美光科技)：位于美国爱达荷州首府博伊西市，于1978年由Ward Parkinson、Joe Parkinson、Dennis Wilson和Doug Pitman创立，1981年成立自有晶圆制造厂。

LOGO美光科技有限公司(以下简称美光科技)是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，其主要产品包括DRAM、NAND闪存和CMOS影像传感器。美光科技先进的产品广泛应用于移动、计算机、服务、汽车、网络、安防、工业、消费类以及医疗等领域，为客户在这些多样化的终端应用提供针对性的解决方案。在1990年代初期，美光科技成立Micron Computers(美光电脑)子公司来制造个人电脑，该公司即后来的Micron Electronics(美光电子)。美光1998年亦并购了Rendition公司来制造3D加速芯片。2002年美光卷入了内存价格操纵丑闻。美光于2007年3月21日首次在中国西安成立了工厂，主要生产DRAM和NAND快闪存储器。

日前，台积电董事长刘德音在出席活动时表示，美光的存储技术已经超越三星，一向较少评价同业以及客户的台积电一反常态，引来台积电与美光加深合作的猜测。目前，在NAND Flash领域，美光确有后来居上的态势，美光的176层堆叠3D NAND Flash 开始大量生产，但三星目前仍停留在128层。

而在DRAM技术方面，美光原落后三星，但如今追赶速度加快。今年第一季已领先三星、SK海力士导入1α制程量产，更预计抢先在2022年推进到1β制程。台媒表示，美光与三星的存储龙头之争，未来几年将很有看头。在代工方面，三星一直是台积电的最大竞争对手，但在存储方面，三星拥有优势，以至于一些业内人士认为，如果三星能够在代工过程中充分整合存储优势，将会在与台积电的对抗中保持竞争力。正是基于此，台积电似乎正在谋求同美光的深度合作。

台媒分析指出，台积电与美光的合作，有其客观的产业环境与条件，一方面是全球存储三强中，三星及海力士都是与台湾处于竞争状态的韩国企业，另外日本的铠侠没有DRAM ;至于美光目前生产基地几乎都在台湾，与台湾合作有地利之便，因此美光显然是台积电现阶段的最佳选择。另一方面，台积电需要整合逻辑与存储技术，美光想要扮演更大的整合角色，加上联电与美光的官司诉讼也在日前和解，接下来同美光的合作将可以加速展开。

值得一提的是，刘德音指出，在过去 15 年中，台积电为业界提供先进半导体制程，每两年实现运算效能翻倍。未来随着人工智能的普及，对运算速度与效率的提升都会有更大需求。

根据智慧芽数据显示，截至最新，台积电及其关联公司在126个国家/地区中，共有66248件专利申请。其中，发明专利占99.27%。从专利趋势上来看，台积电的专利年申请量目前最低867件，最高7109件，整体而言台积电的专利申请趋势呈现逐年递增的趋势。此外，根据智慧芽专利行业基准对比数据可知，可以说基本上台积电上述专利平均价值与行业专利平均价值相比，台积电的行业专利平均价值要高出行业平均价值不少，只有极少数低于行业平均价值，占比30%左右.

到目前为止，美光已经将其DRAM生产的很大一部分转移到其1Z制程，该制程为生产存储器提供了更高的位密度和性能，可以有效地降低成本。因此，目前美光表示，它对利润率和产品组合感到相当满意。

美光的1α制程工艺预计将比1Z的位密度提高40%，这将相应地降低生产商的单字节存储成本。此外，该技术据称还能降低15%的功耗，以提高存储器性能。

在美光1α工艺提升的40%位密度中，大约有10%是由DRAM设计效率驱动的，这表明非EUV技术在当前生产过程中还有提升空间。新的1α工艺将如同1Z工艺一样，继续使用6F2位线设计。目前美光已经实施了许多新的工艺制程，以适应小尺寸DRAM的制造。

美光DRAM工艺集成副总裁Thy Tran在被媒体采访时谈到，1α工艺的位密度能显著提高，是因为工艺制程的改进及设计效率的提升，这实现了矩阵效率的提高，也带来了10%左右的存储器性能提升。美光对工艺技术改进了许多，比如大幅度缩小了位线(bitline)、字线(wordline)和网格(grid)。美光能够做到这一点，不仅因为对新工艺制程的积极，也因为它整合了全球各地最新、最好的材料，比如更好的导体材料和绝缘体材料。

最后美光通过沉积、修改或选择性地蚀刻这些新材料来制作设备，缩小节距来使电池电容的容量更大。此外，美光还引入了先进的设备和技术，来改善图案层(patterned layer)。DRAM 1α这项新工艺完成于美国爱达荷州博伊西的美光总部，但工艺制程的开发和制造过程涉及到了全球多个团队。

美光科技技术与产品执行副总裁Scott DeBoer称，采用了新1α工艺的DRAM器件在应用于数据中心、边缘AI和消费电子时，将解决很多问题。一开始，美光会在其位于桃园和台中的晶圆工厂中，使用1α工艺生产8GB和16GB的DDR4和LPDDR4内存，最后该工艺将应用所有类型的内存。

因为DDR5存储设备将具备更复杂的架构，像1α这样的工艺对于下一代DDR5存储设备格外重要。Tran先生说：“我们的1α工艺将逐步部署在我们的产品组合中，并将在2022年成为主要工艺。同时晶圆厂也将逐渐升级，以配合生产，符合行业需求。”