高通可能又栽了，骁龙8G1依然是发热界的扛把子

关于高通新一代旗舰处理器的命名问题，之前外界一直众说纷纭，在半月前大家都认为新一代处理器会延续骁龙888的命名叫骁龙898，不过就在近段时间不少爆料人都表示不会叫骁龙898，并且高通已经正式确定未来骁龙将成为一个独立品牌，届时骁龙不会再和高通品牌并行出现，同时高通还表示，新骁龙会采用简化、一致的全新命名体系。不过就在今天，又有爆料放出了疑似高通官网的截图，其中展示的新品图标上赫然显示，该芯片将被命名为“骁龙8Gx Gen 1”。

也就是说，最终的命名应该还是此前被传出的“骁龙8 Gen 1”，这个名称可能只是海外版本。不过不知道官方未来将会如何为这一代芯片定义中文名称，毕竟Snapdragon 8 Gen 1直译过来骁龙8第一代不仅不好听，也不如之前的纯数字朗朗上口易记。

目前骁龙888系列旗舰机的跑分多在80万分出头，这意味着骁龙8 Gen1的性能综合提升了至少20%以上。 除了100万以上的跑分，首批搭载骁龙8 Gen1的神秘手机也引人关注，很可能就是realme全新的高端旗舰真我GT2 Pro，这是真我GT2 Fold折叠屏旗舰之外另一款新机，硬件配置也非常强大。

高通新一代高端芯片骁龙8 Gen 1芯片受到了国产手机品牌的热捧，小米、联想都宣称自己才是首发骁龙8G1的手机企业，不过在手机企业热捧的时候，消费者却要当心这款芯片再现骁龙888的发热前例。

小白测评拿到了首发骁龙8G1的 moto edge X30 ，对此进行了测试比对，结果显然让人失望，骁龙8G1依然是发热界的扛把子。

小白测评对比了骁龙870、骁龙888+、苹果A15和骁龙8G1，在使用10分钟后测试的温度显示，骁龙8G1手机的正面温度和背面温度都达到了60度，背面温度比骁龙888+的62度低、正面温度则比骁龙888+的54度高，显示出骁龙8G1依然是手机芯片界的扛把子。

对比之下，高通芯片近近三代产品中，骁龙865系列依然是功耗表现最好的产品，骁龙865采用7nm工艺，而骁龙888采用了5nm工艺，骁龙8G1则采用了4nm工艺，更先进工艺却没能带来更好的功耗表现自然让人颇为失望。

昨天，moto edge X30正式发布，这款手机最大的亮点莫过于首发了骁龙8G1处理器。今年一整年，安卓的各家旗舰机都活在骁龙888的阴影之下，用户也盼望上游的芯片厂商能够拿出一款功耗发热优秀的旗舰芯。所以骁龙8G1自然而然地也就成为了大家关注的焦点。在昨天moto edge X30发布之后，几位头部的数码大V都已经放出了骁龙8G1的测评视频，看了一圈下来，大致有以下的总结：

CPU部分几乎原地踏步

GPU部分牙膏挤的有点多

功耗&发热依旧不容乐观

当然，不排除这是moto调教不到位的情况，这一结论是否适用于所有的骁龙8G1还得看后续搭载这款处理器的其它机型的表现。但如果这反映的是普遍情况，那骁龙865/骁龙870/麒麟9000机型再战一年丝毫不成问题，明年也不用考虑换手机了今年的骁龙8G1要是再次成为“火龙”，可能三星、高通和ARM都逃不了被大家喷的尴尬局面。

前两者自然不必多说，最为最直接的当事人，锅是肯定要背的。而ARM的锅就在于当初ARMV9架构发布之初饼画太大，性能功耗的表现描述得过于美好。但是在更加先进的架构+采用更加先进的制程工艺之后，相较于骁龙888竟然没有明显进步，这怎么看ARM似乎也逃不了干系。

高通芯片的功耗过高可能存在两点原因，一个是ARM的两代超大核心X1、X2的功耗实在太高。ARM的第一代64位高性能核心A57就曾出现严重的功耗过高问题，最终仅有高通的骁龙810采用了A57核心，而骁龙810也因功耗过高被手机企业纷纷放弃，这次ARM的第一代超大核心X1依然存在功耗过高的问题，而第二代超大核心X2的功耗依然过高就让人费解了。

其次就是三星的工艺不过关，此前digitimes以晶体管密度为参数，分析了Intel、三星和台积电的先进工艺制程，认为三星和台积电的7nm工艺才与Intel的10nm工艺相当，而在7nm工艺之后三家芯片制造企业又再次出现分差。