集成热插拔、ADC 和电容检测，这款芯片产品，我爱了!

以下内容中，小编将对MPS MP5515芯片的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对这款芯片产品的了解，和小编一起来看看吧。

在掉电释放方面，在第一个启动周期和升压开始切换后，MP5515 注册并启用释放功能。 一旦输入功率下降且 DET 下降到 0.99 x VDET-REF，储能升压转换器将停止充电并在降压释放模式下工作。 同时，ISOFET 关闭以防止从 VB 到 VIN 的负电流。 在降压模式下，MP5515 将能量从高压存储电容器传输到低压总线电容器。 调节后的总线电压由 VFBB-REF 和从 VB 到 FBB 的电阻分压器决定。图 4 显示了详细的系统关闭过程。 降压模式具有最大电流限制功能来限制释放电流。 在每个降压模式开关周期中，在电感电流降至 6.5A 谷值电流之前，高侧开关不会打开，通常情况下。

对于输入恢复启动，如果输入电源出现故障并恢复，MP5515 仍处于降压释放模式。 当 STRG 放电且 VB 降至 VB_UVLO 时，MP5515 从恢复的 VIN 电源重新启动，这是一个具有 TPOR 延迟的新输入电源启动周期。

在输入电流限制方面，输入电流限制仔细控制 ISOFET 的输入浪涌电流，以防止从 VIN 到 VB 的浪涌电流。 内部 DVDT 位或外部 DVDT 电容可以设置软启动时间。 除了软启动过程之外，ILIM 还可以通过在 ILIM 和 AGND 之间连接一个电阻来设置电流限制来限制稳态电流。ILIM 上的电压在正常应用中低于 1.09V。 如果外部对ILIM施加大于1.5V的电压，则ISOFET关断，MP5515进入降压过程。当 VB 负载接近 ILIM 阈值时，在每个升压刷新周期中，输入电流很容易触发限流以及系统中断。为了避免在这种情况下连续触发 ILIM 中断，在每个升压刷新周期内，输入过流中断都会被自动屏蔽。 屏蔽时间取决于升压切换时间。一旦触发输入过流阈值且 FBB 降至 VFBB-REF，备用降压转换器开始工作以维持 VB。 一旦 FBB 被充电回 VFBB-REF 的 105%，在这种情况下降压将再次禁用。 在升压刷新周期期间，即使触发过流阈值，降压转换器也不会启用。

在反向电流保护 (RCP)方面，当输入电压超过 VIN UVLO 阈值且 VIN 大于 VB + 0.2V 时，VIN 至 VB MOSFET 导通。当 DET 电压下降时，该 MOSFET 关闭，导致 MP5515 进入降压释放模式，并且在降压模式结束之前不会再次打开。 当能量从存储电容器释放到 VB 时，ISOFET 电路应用反向电流保护 (RCP)。 通常，从 VB 到 VIN 的 250mA 反向电流会关闭 ISOFET。

对于启动顺序，IC使能后，MP5515以TPOR复位时间和DVDT软启动时间开始工作。在 VB 上升期间，内部电荷泵为 CST 电容器充电。 这为热插拔 MOSFET 提供了驱动源。 DVDT 时间太短可能会触发输入限流阈值。太大的 CST 电容器可能会影响电荷泵的转换速率。 建议使用 10nF CST 电容器。 DVDT软启动时，VB电容充电，STRG电容不充电。 VB 充电后，DVDT 电压充电至约 1.23V 并保持在此饱和电压。 如果 PFI 为高且 DVDT 饱和，则启用充电功能且存储电容器充电至目标电压。

此外，MP5515 具有后备电容器测试功能，通过从 STRG 到 RTEST 的一个外部电阻器对后备电容器放电。 MOSFET为4.5Ω左右，峰值放电电流必须通过外接电阻限制在500mA以下，即使是短时间放电。当 Start Cap Test 寄存器位被设置时，MP5515 禁用升压充电开关，RTEST 通过内部 MOSFET (M1) 连接到 GND 以进行能量放电。 MP5515 在 FBS 下降到 VFBS-REF 阈值时启用 VSTRG ADC 转换(SOC 可以通过 I2C 读取 STRG 电压)。 同时，启用内部计数器以测量放电时间。计数器继续直到上限电压下降到 PGS 阈值电压以下。当 VSTRG 降至 PGS 阈值时，ADC 再次读取 VSTRG，并设置 Cap Test Done 寄存器以指示 Cap Test 已完成。 Cap Test Done 产生一个中断，通知 SOC 测试已完成。 SOC 可以读取备用电压和计数器定时器寄存器。 根据初始电压和终止电压读数，可以确定放电时间是否可接受。

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