相比5nm提高60% 台积电预计2022下半年实现3nm工艺制程的量产

据海外媒体techpowerup报道，台积电正在积极推进3nm工艺制程的量产计划，预计将在2022下半年至2023年上半年之间实现3nm工艺制程的量产。

据了解，台积电3nm工艺制程拥有N3、N3B和N3E等多个节点。据悉，N3E在N3基础上减少了EUV光罩层数，从25层减少到21层，逻辑密度低了8%，不过仍比5nm的N5制程节点要高出60%，并且具有更好的性能、功耗和产量。作为3nm简化版的N3E节点，量产节点可能提前到2023年上半年。

5nm工艺之后，台积电正在全力冲刺3nm，并且准备了多个版本，至少包括N3、N3E、N3B。

N3是常规标准版本，N3E原本应该是性能增强版(Enhanced)，2024年量产，现在却变成了精简版，规格上缩水，好消息是进度提前了。

据悉，N3E工艺将使用更少的EUV光刻层，从25层缩减到21层，投产难度更低，良率也能更高，成本自然得以下降，但是晶体管密度会比N3版本低大约8%，相比N5仍然会高60%。

相比之下，N3的晶体管密度比N5要高70%。

N3E工艺将在本月底完成设计，而投产时间将从2023年第三季度提前到2023年第二季度。

N3工艺也安排在2023年，但暂时不清楚具体哪个季度。

至于N3B版本，目前只知道它是在N3的基础上，针对特定用户的改进，但其他一无所知。

据海外媒体techpowerup报道，台积电正在积极推进3nm工艺制程的量产计划，预计将在2022下半年至2023年上半年之间实现3nm工艺制程的量产。

据了解，台积电3nm工艺制程拥有N3、N3B和N3E等多个节点。据悉，N3E在N3基础上减少了EUV光罩层数，从25层减少到21层，逻辑密度低了8%，不过仍比5nm的N5制程节点要高出60%，并且具有更好的性能、功耗和产量。作为3nm简化版的N3E节点，量产节点可能提前到2023年上半年。

从目前的消息来看，，台积电 3nm 工艺制程拥有 N3、N3B 和 N3E 等多个节点，3E 在 N3 基础上减少了 EUV 光罩层数，从 25 层减少到 21 层，逻辑密度低了 8%，不过仍比 5nm 的 N5 制程节点要高出 60%，并且具有更好的性能、功耗和产量。作为 3nm 简化版的 N3E 节点，量产节点可能提前到 2023 年上半年。

根据台积电公布的 1 月财报数据，其 1 月营收 1721.76 亿新台币，折合约 61.88 亿美元(去年 12 月份为 56.1 亿美元)。这是台积电单月营收首次超过 60 亿美元。而随着 3nm 工艺的量产，台积电将迎来新的市场需求。

时至今日，芯片设计巨头的高端系列芯片已经在7nm及以下的先进制程中搏斗。不仅如此，先进制程更是成为了台积电等代工龙头的“吸金密码”。2021年台积电总营收为15874.2亿新台币(约合人民币3658.3亿元)，其中，5纳米和7纳米合计营收占总营收50%，可以说扛起了台积电营收的半壁江山。

然而，随着高性能计算需求的增加，芯片制程的战火也逐渐从5nm蔓延到了3nm。3nm争夺战的“枪声”已经打响。

设计企业的“产能之争”

当前芯片已经来到了先进制程时代，鉴于能采用先进制程的代工厂只有台积电和三星两家，而需要先进制程工艺的芯片设计企业却有英特尔、苹果、高通、AMD、英伟达等数家，实打实处于“僧多肉少”的局面。对芯片企业来说，芯片工艺的比拼其实就是产品性能的比拼，为了不输给对手，芯片企业不得不开始上演一场“产能争夺战”。

从已经量产的5nm来看，业界传闻英伟达上个季度向台积电支付了 16.4 亿美元以保留其在 5nm中的份额，另外 17.9 亿美元将在 2022 年第一季度支付。据悉，英伟达将花费近 100 亿美元来确保其为 RTX 4080、4090 及其 40 系列提供 5nm 的芯片供应。

对于一个量产近2年，可以称得上是稳定良率的制程，英伟达都要斥百亿美元的巨资确保产能，可想而知，面对一个全新的制程，厂商的竞争只会更激烈，这决定着谁会是全球首款3纳米芯片。

目前来看，英特尔、苹果、高通、AMD等都已加入战局。

英特尔

虽然英特尔是IDM企业，但目前他在先进制程方面离3nm仍有距离。在2022年投资者大会上，英特尔曾表示Intel 4也就是7nm预计在2022年下半年投产;Intel 3(第二代7nm)预计在2023年下半年投产;Intel 20A(5nm)将于2024年投产;Intel 18A(第二代5nm)预计在2025年投产。