三星：其3nm工艺已经研发完成，预计会在今年第二季度开始试产

三星电子(韩国语：삼성전자 [1] )是韩国最大的电子工业企业，同时也是三星集团旗下最大的子公司。1938年3月三星电子于韩国大邱成立，创始人是李秉喆。副会长是李在镕和权五铉，社长是崔志成，首席执行官是由权五铉、申宗钧、尹富根三位组成的联席CEO。在世界上最有名的100个商标的列表中，三星电子是唯一的一个韩国商标，是韩国民族工业的象征。 [2] 2014年11月12日消息，据国外媒体报道，三星电子已经起诉英伟达，称其侵犯了公司几项半导体相关专利以及投放相关产品的虚假广告。在2014年9月，英伟达曾将三星告上法庭。2019年10月，2019福布斯全球数字经济100强榜位列3位。

芯片的发展越来越迅速，先进制程芯片量产的速度也是越来越快，从28纳米，就这么几年的时间，如今已经成功挺进到4纳米。这意味着什么?意味着芯片先进制程已经即将就要接触到摩尔定律的极限了。

当然，如今全球企业在芯片先进制程上依旧还在不断努力中，三星，这个国际性的全能企业，在3纳米芯片方面也传来了新进展，据说三星准备在3纳米方面采用新工艺。那么，这次三星是否真能实现3纳米的量产吗?毕竟三星叫嚷3纳米也已经有很多年了，但是连影子都没见到。

三星如今研发出这样一个更加先进的3纳米制程工艺，那么究竟有没有希望能挽回有点要跑掉的高通呢?

根据韩国媒体报道，三星今年准备在韩国平泽市开工建设3纳米晶圆厂，目前预计可能会在6月份还7月份动工，并且还准备一并将相应的设备落实到位。在3纳米芯片的制程工艺上，三星大有破釜沉舟的样子。

我国的台积电也确实有向3纳米芯片进军，但是，目前台积电使用的可是比较传统的FinFET工艺。而三星偏不，三星这次准备用什么呢?准备使用新工艺，准备成为第一个吃螃蟹的人。这个新工艺就是GAA晶体管工艺。

这种新工艺主要就是利用新型的环绕栅极晶体管，通过相关纳米片设备和相关技术进行相关的堆叠，形成多桥通道场效应管。

当然，三星会有这样的举动也并不奇怪，毕竟就按照理论上来说，使用这种全新的GAA晶体管工艺生产出来的芯片也确实会比传统用FinFET工艺，在整体性能上会有很大的增强，具体来说。

使用GAA新工艺生产出来的芯片，功耗据说大约能降低50%，性能可以提高35%，至少还是从理论上来说，因为目前还没有人试过，三星用这种新工艺生产的芯片，确实会优于台积电的传统功能工艺。

但是，三星的3纳米新工艺芯片要想实现超越台积电传统工艺的3纳米芯片，那么，首先就要一个大变数。那就是三星在3纳米芯片方面已经喊了几年了，但是目前也仅仅看见三星动动嘴皮子，那么，这次三星传出准备采用新工艺，准备建厂，这次真有希望能实现3纳米芯片的量产吗?

其实，三星这次还是很有希望能实现自身这种使用更先进新技术，3纳米芯片的量产的。在2020年11月9日，三星就定下了在2022年，也就是今年实现3纳米芯片量产的远大目标，当时，根据相关三星高管透露，三星不仅仅定下了目标，甚至还制定了行动计划，预计想要投入1160亿美元发展芯片。

这样的资金投入无疑也是非常巨大的，在这样巨大的资金投入下，加上如今在3纳米芯片方面，三星已经研究了整整差不多有两年的时间了，在时间也不短，投入也不少的情况下，想要在今年实现3纳米芯片的量产，其实也不是不可能。

近日，三星电子被该黑客组织盯上了，并被泄露了大量机密数据。据悉，黑客组织Lapsus$先是发布了一张三星软件里的C/C++ 指令截图，随后便对泄密内容进行了公布，称其中包含三星机密源代码。

该黑客组织称，泄露的数据包括：用于敏感操作的三星TrustZone 环境中安装的每个受信任小程序 (TA) 的源代码(例如硬件加密、二进制加密、访问控制)、所有生物特征解锁设备算法、所有最新三星设备的引导加载程序源代码、三星激活服务器的源代码、用于授权和验证三星帐户的技术的完整源代码(包括 API 和服务)、来自高通的机密源代码等。

在最新的声明中，三星电子承认了源代码泄露的事实，称旗下Galaxy设备被泄露了近200GB大小的数据信息，并可能包含部分高通的机密信息。但三星电子也在声明中表示，“虽然被泄露的数据中含有部分内部数据，但没有员工个人数据。”

一名三星发言人进一步对外解释称，“根据我们初步分析，数据泄密不包括我们的消费者。目前预计我们的业务或客户不会受到任何影响。我们已采取措施防止此类事件再次发生。并将在不受干扰的情况下继续为我们的客户服务。”

但从目前一部分行业人士的态度来看，大家显然不这么认为。多位业内人士对新浪科技表示，“这次泄露对三星的影响不小，可能不会像官方声明中说的那般微不足道。”

近两年由三星代工的高通旗舰芯片性能方面表现不佳，让用户把矛头直指 FinFET 晶体管工艺，现如今，三星宣布首发 GAA 晶体管工艺，主要用于即将来到的 3nm 芯片。

三星此次主张激进打法，率先使用 GAA 晶体管工艺代替已有的 FinFET 晶体管工艺，主要还是因为在 7nm 、5nm 及 4nm 上表现落后，早前还有消息称部分员工涉嫌伪造和虚报5nm、4nm、3nm工艺制程的良品率，以至于高通将会在 8 Gen 1 Plus 上就提前更换为台积电代工，不难看出三星的窘况。

GAA 是一种新型的环绕栅极晶体管，利用 GAA 结构可以实现更好的栅控能力和漏电控制，同时由于生产技术与 FinFET 基本相差无几，在成本控制上也会有优势，这也是为何三星急于研发 GAA 而几乎放弃对 FinFET 晶体管工艺进行优化。

根据报道，三星已经做好在韩国平泽市的P3工厂开工建设 3nm 晶圆厂的准备，预计今年6、7月份动工，并同时导入设备。按照这个进度，最快明年我们就能看到采用 3nm 工艺的新芯片量产，届时也将会是三星与台积电新一轮的正面交锋，你看好谁呢?

3月9日消息，此前三星就曾宣布，其3nm工艺已经研发完成，预计会在今年第二季度开始试产，比台积电的进度更快。近日，韩国媒体报道称，三星已经准备在韩国平泽市的P3工厂开工建设3nm晶圆厂，预计6月份前后动工，届时就能导入设备并开始试产调试了。

显然，这个进度比三星公布的时间要慢不少，预计到年底也只能进行小规模的量产。而台积电的3nm工艺应该也能在今年第四季度之前开始量产，这样一来两家的时间就相差不多了，大规模量产都要拖到明年了。

不过，按照三星公布的消息，其3nm工艺采用的是更为先进的GAA环绕栅极晶体管技术，相比与台积电的FinFET晶体管技术会更为先进。在性能、功耗、芯片面积等各个方面，纸面参数都是要比台积电3nm工艺更优秀的。

相比与7nm工艺，三星3nm GAA工艺的芯片逻辑面积提高45%以上，功耗降低50%，性能提高约35%。如果真的能达到这样的水准，那确实有机会在3nm技术上实现弯道超车，一举追上台积电。之前，三星的7nm、5nm工艺表现都不如台积电，三星也是把宝都压在了3nm工艺上，并且在技术上还领先了一步，希望这一次能有大幅提升

之前有传言称，台积电的3nm工艺产能已经被苹果、英特尔提前预定，高通、AMD等其他厂商分不到多少，所以准备转头三星3nm。高通这边想要第一时间用上先进工艺，也就只能找三星了。如果三星3nm工艺能达到理论性能，那高通旗舰芯片也有机会迎来一波大的性能提升。