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[导读]一直以来,智能电子标签都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在,小编将为大家带来恩智浦NTAG 5 boost互联NFC标签的相关介绍,详细内容请看下文。

一直以来,智能电子标签都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在,小编将为大家带来恩智浦NTAG 5 boost互联NFC标签的相关介绍,详细内容请看下文。

一、NTAG 5 boost互联NFC标签

与标准NTAG相比,互联NFC标签使用的射频接口完全符合NFC Forum的规范。附加的主机界面提供了一个到云的简单链接。这些标签具有能量采集功能,因此很好地摆脱了外部电源。在安全性方面,独创签名是一种支持数字椭圆曲线加密(ECC)的算法,它增加了额外的安全级别,并支持标签验证,而无需云连接。

NTAG 5 boost 使用主动负载调制(ALM)来提供与 NFC 手机稳定可靠的通信,为微型 器件带来全新的便利性水平。恩智浦的 NTAG 5 boost 在增加 AES 安全性的同时,缩小了 NFC 器件的占位面积,因此设计人员就可以提供适用于物联网、消费和工业应用的超小型器件。它提供兼容 NFC Forum(客户开发板已通过 NFC Forum 认证,证书 ID:58625)的非接触式接口,可提供出色的读取范围,使微型器件能够与云和其他支持 NFC 的器件(包括智能手机)进行互动。

ALM 支持构建在一個小型而高度可靠的天线,从而在不影响读取范围的情况下,大幅减小占位面积。当在 ALM 模式下运行时,设备的读取范围要比在被动模式下运行时远得多。 得益于配备硬断电模式和待机电流(通常小于 10 μA)的节能设计,可确保较长的电池寿命。 2048 字节(16384 位)的用户存储器可以分为三个区域,每个区域可以使用不同的保 护级别,从无保护、32/64 位密码保护、到高达 128 位 AES 保护的读/写访问(带双 向认证)。价值链中的各方可以拥有自己的专用存储器区域来存储访问数据。 NTAG 5 boost 带有预烧写的来源证明功能以验证真实性。客户可以锁定或重新烧写基 于椭圆曲线加密(ECC)的原始签名。

借助 NTAG 5 boost,只需轻触器件即可连接到云。连接使用兼容 NFC Forum 的数据 交换机制。该机制涉及 256 字节(2048 位)SRAM,以确保高度互操作的数据传输。

二、NTAG 5 boost互联NFC标签特点

• 将天线尺寸减小 40 倍的同时,保持与无源负载调制相同的读取范围

• 得益于低待机电流和硬断电,延长电池寿命

• 可调安全级别,最高可达 AES 双向认证

• 在三个开放和/或受保护的存储器区域之间灵活地划分

• 通过价值链确保产品的真实性

• 根据 NFC Forum 标准进行可互操作的数据交换

• 可互操作的高性能 NFC 接口

– 兼容 ISO/IEC 15693 和 NFC Forum type 5 标签

– 64 位唯一标识符

• 可靠而强大的存储器

– 配置存储器顶部提供 2048 字节(16384 位)用户 EEPROM

– 256 字节(2048 位)SRAM,用于频繁更改数据和直通模式

– 40 年数据保存

– 写入寿命为 1,000,000 次 • 可配置接触接口

– I 2 C 从机标准(100 kHz)和快速(400 kHz)模式

– 透明的 I 2 C 主通道(例如,不带 MCU 的读取传感器)

– 一个可配置的事件检测引脚 – 两个 GPIO 作为复用的 I 2 C 线路

– 两个脉冲宽度调制(PWM)通道作为多路复用 GPIO 和/或 ED 引脚

– 电源电压:1.62 V 至 5.5 V • 可扩展的安全性,用于保护访问和数据

– 暂时禁用 NFC 接口

– 暂时禁用 I 2 C 接口

– NFC 隐私模式

– NFC Forum type 5 标签规范中定义的只读保护

– 两个接口都提供基于 32 位密码的完全、只读或无存储器访问

– 从 NFC 角度的可选 64 位密码保护

– ISO/IEC 15693 中定义的 128 位 AES 认证

– 基于 ECC 的可重新烧写独创签名

• 多种快速数据传输模式

– 256 字节 SRAM 缓冲区直通模式

– 标准化数据传输模式(PHDC、TNEP)

• 低功耗预算应用支持

– 能量收集,可配置输出电压高达 30 mW

– 低功耗待机电流(通常<10微安)

– 硬掉电电流(通常<0.25微安)

• 坚固耐用的架构

– -40 °C 至 85°C

最后,小编诚心感谢大家的阅读。你们的每一次阅读,对小编来说都是莫大的鼓励和鼓舞。最后的最后,祝大家有个精彩的一天。

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